无损检测技术教育部重点实验室开放基金第11批指南.docVIP

无损检测技术教育部重点实验室开放基金第11批指南.doc

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无损检测技术教育部重点实验室开放基金(第批)指南 一、简介 无损检测技术教育部重点实验室2005年10月经教育部批准筹建、2008年6月通过验收对外开放的省部共建教育部重点实验室。主要从事无损检测技术理论和应用基础、无损检测技术与仪器、定量无损检测与评价方法、检测信号与信息处理研究等。 根据开放、联合、流动、竞争的运行机制,实验室重视多学科、多产业的相互渗透,鼓励相关学科得相互结合与集成。实验室热忱欢迎和邀请各有关领域国内外科研人员来实验室进行合作研究,共同推动我国无损检测技术的发展。 二、201年度开放基金指南资助主要范围 为了加快实验室建设步伐,改善实验室科研条件,提升实验室整体科研实力,更好的为广大无损检测领域科研人员服务,本年度开放基金主要围绕检测平台建设为中心,以专项经费形式支持以下重点研究范围: 1、航空多层金属铆接结构件脉冲涡流检测平台:多层金属铆接结构是飞机等航空器中的常见结构,由于分层和铆钉的影响,多层金属铆接结构的层间腐蚀和铆接部位的裂纹是检测中的难题。建立一个飞机多层铆接结构件的脉冲涡流检测平台,可用于各类飞机多层金属铆接结构的层间缺陷检测,需要达到的要求及技术指标:裂纹检测灵敏度:1 mm深度下裂纹长度不大于23 mm深度下裂纹长度不大于35 mm深度下裂纹长度不大于6 mm;腐蚀检测灵敏度:1 mm深度下不大于φ10 mm×0.1 mm,3 mm深度下不大于φ10 mm×0.2 mm,5 mm深度下不大于φ10 mm×0.3 mm;横向位置定位误差不大于0.2 mm,深度定位误差不大于0.5 mm。同时实现对缺陷定量,并对检测区域进行成像处理。 国内外的大量事实已证明,飞机机械故障是由断裂、疲劳、腐蚀及材料退化的综合过程产生的。飞机疲劳损伤常是某些振动剧烈、反复加载较为严重的区域。通过理论研究和实验测试分析,针对航空器关键构件的应力集中区域建立磁记忆检测系统,研究应力集中与检测信号之间的关系,优化检测工艺,提出适用于航空器关键构件应力集中的无损检测评价方法,最终建立航空构件应力集中的磁记忆检测系统与应力评估平台,需要达到的要求及技术指标:(1)扫查装置运动精度达到0.05 mm、X轴、Y轴和Z轴行程需分别达到150、300140 mm;(2)检测仪器需有4个传感器通道,传感器精度达到在x、y方向为0.2 μT,z方向为0.3 μT;同时应具有多通道磁记忆检测信号的接收、滤波调理、采集存储等功能、二维合成、显示成像功能,并可实现同步控制扫查装置。水浸超声特征扫描测试成像与分析系统主要用于检测铜钢扩散焊和复合材料的成像检测,同时可以对扩散焊的焊接层及高温合金钎焊的结合层等复合材料、各类涡轮叶片热障涂层进行图像化特征评价。建立水浸超声特征扫查测试成像与分析平台,可应用于航空航天领域各种金属和复合材料构件、各种100300 μm涂层质量及其他异性构件的无损检测与评价,需要达到的要求及技术指标:超声采样频率达到500 MHz以上,满足5100 MHz超声检测频率;除常规的3轴检测外,另外增加探头360度旋转向,实现4轴检测;工作面达到200 mm以上高度;对检测区域进行层析与成像处理。 ~300 J范围的冲击能量损伤,检测出±0.1 mm损伤缺陷。 5、光学相干层析(OCT)平台:OCT是一种高分辨率、超高速、无损的三维光学成像手段。该技术现阶段主要用于对生物组织、其他透明及半透明组织结构实现高分辨率的无损成像。可实现对光学器件(比如航天镜头内微型裂纹检测)、航空材料器件(如复合材料、碳纤维内缺陷无损检测)、陶瓷材料器件(古陶瓷的鉴别、陶瓷内部结构成像)、甚至珍珠、水果等农副产品等进行微米级的实时在线无损检测。OCT检测平台建立需要达到的要求及技术指标:波长范围1 250~1 360 nm;中心波长1 310 nm;平均输出功率20 mW;扫描频率50 KHz;相干长度12 mm;在空气中≤5 μm轴向分辨率,≥3 mm成像深度(1 310 nm中心波长)。 优先资助:服务于航空航天领域、国防建设方面,并具有战略性意义的新型传感与检测技术、航空发动机材料及构件无损评价技术,无损检测数值仿真方法、复合材料无损检测新技术、复杂工艺及形状构件的成像检测方法等检测平台与实验系统建设。 三、开放基金申请对象及资助额度 1、开放基金主要资助对象为具有副高以上职称或中级且具有博士学位的教学和科研人员。 2、四、开放基金项目申请程序和注意事项 1申请人根据实验室开放基金的主要资助研究范围填写南昌航空大学无损检测技术教育部重点实验室开放基金项目申请书一式三份(至少一份是原件)。经所在单位学术主管领导签字同意并加盖公章后,向本实验室提出申请。自本开放研究基金指南公布之日起,本实验室开始接受项目申请,截止日期为201年月日。申请者需

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