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多层片式PTCR内Ni电极概述摘要：多层片式PTCR的内电极基本上采用贱金属Ni，高性能纳米级Ni内电极的制备是获取优异性能多层片式PTCR的关键，本论文以制备纳米级Ni粉为目标。 关键词：PTCR Ni内电极 多层片式PTCR的内电极基本上采用贱金属Ni来制备，但这种电极浆料在市场上不易找寻，就算是有也很难满足多层片式PTCR的一些特殊性能要求。高性能Ni内电极的制备是获取优异性能多层片式PTCR的一项关键技术，因而纳米级Ni粉的获取、Ni内电极浆料组分的研究及配制、Ni内电极浆料的性能表征、欧姆接触Ni内电极性能研究及Ni电极与PTC陶瓷的匹配问题都是需要亟待解决的问题。 PTC陶瓷材料凭借其特殊性能，制成的敏感元件具有灵敏度高、使用方便、结构简单、价格便宜等优点，使得半导瓷器件在IT行业、家电工业等领域有着广泛的应用。采用Ni作为多层片式PTCR的内电极的缘由概括来说有以下几种：①由于多层片式PTCR需要在1300℃左右温度高温烧结，这就需要有高熔点的内电极金属材料与之对应，同时在烧结过程中不能被氧化，后续PTCR再氧化处理过程中其也不能氧化，而Ni的熔点在1350℃左右，所以理论上非常适合与PTC陶瓷高温共烧；②多层片式PTC陶瓷的迅速发展，用贵金属(Au,Pt,Pd,Ag等)作电极存在着成本高的问题，而我国是一个贵金属比较贫乏的国家，贱金属资源却相对丰富，若能研制出性能优良的贱金属烧渗Ni电极来代替原有的贵金属电极导体浆料，如果成功将会取得巨大的经济效益和社会效益；③贱金属Ni在高频特性和导电性等特定领域内具有比贵金属更为优异的性能。正因为贱金属所带来的经济效益和例如此类的独特优越性使半导瓷用Ni浆料的研制工作具有重要的意义；④多层片式PTCR需采用欧姆接触电极，PTC是n型半导体陶瓷，其与金属能否获得良好的欧姆接触是取决于表面的电子状态，正是基于这种原因，破坏半导瓷表面的氧吸附层是获得欧姆接触的前提。而只有Zn,、Sn、AI、Ni等贱金属才能与PTC等半导瓷形成欧姆接触，因而选用Ni作为多层片式PTCR的内电极是可行的。 气氛下烧结的叠层PTCR并不能产生PTC效应，必须在一定的时间和温度内进行再氧化处理，但是温度过低或者时间过短，都无法形成很好的PTC效应，因此，必须研究如何才能得到更好的PTC效应，这是多层PTCR的一个研究重点，也是本文研究的重点。叠层陶瓷PTC元件的共烧需要进行低温再氧化处理工艺，因此不同于其他叠层器件，有着特殊性和复杂性。本人先在大气中对Ni电极浆料进行了摸索，后期再运用到叠层中。本课题运用了国外专利介绍的一些成果，通过调整浆料的组分与配比，粘合剂的选用，烧渗工艺的控制等一系列实验，研制出了适用于PTC等半导瓷用的欧姆接触Ni电极浆料的配方和烧渗工艺。对贱金属烧渗内电极材料的研究，主要有如下特点:①由于许多半导体陶瓷元件具有较大的能耗，工作温度较高，即使银电极也会因银离子在高温下的强扩散性而存在长期工作的可靠性问题，然而适当的贱金属电极材料有望对此有所改进；②大部分半导体陶瓷元件同银或金等贵金属电极接触时会形成严重影响元件本征特性的界面势垒，而代之以适当的贱金属电极则有望消除此势垒；③对电极导电区形成机理的研究，涉及到对不同金属涂层经烧结形成导电区过程的比较，从而突出将Ni金属作为电极材料的特点；④对半导体陶瓷电极的探究涉及金属与半导体欧姆接触问题，需要进行半导体陶瓷与金属接触的许多基础理论研究，这将可促使研究带有机理性，从而可能具有开发性和开创性；⑤半导体陶瓷元件品种繁多，使用面大而广，对其电极贱金属化，将会取得很大的经济效益和社会效益；⑥很大部分的半导体陶瓷元件在使用时采用插接式(或压接式)接触，只要求高导电性，并没要求可焊性，这将使我们的研究得以简化，有利于研究的进程及便于较快取得研究成果[11]；⑦烧渗法制备电极对工艺设备的要求最低，生产工艺也最为简便易行，且最适合于一般工人原有的烧渗电极的习惯，辅以丝网印刷装置便于大规模生产，研究样品时也便于手工涂敷。根据以上特点，我们将半导体陶瓷元件主要是PTCR的烧渗贱金属Ni电极作为本课题的研究方向之一。 综上所述，Ni金属与半导瓷形成欧姆接触的可行性是肯定的。然而Ni金属粉在空气烧结时本身极易被氧化而形成氧化镍，从而增大了金属电极本身的阻值。要想在半导瓷片上获得令人满意的欧姆接触电极，需解决以下两个问题：① Ni内电极与PTC瓷体应该有较大的附着力；②须避免由于氧化而导致Ni电极导电性能降低[12]。因此在Ni电极浆料组成和烧渗工艺上，如何保证Ni金属微粒表面在高温烧结过程中不被氧化、使Ni电极具有良好的导电性和附着强度等等成为制备Ni电极浆料的关键。 1