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表面贴装功率MOSFET封装的演进 VishayIntertechnology公司 CraigHunter 功率MOSFET不仅是一种普遍使 有助干消除封装寄生效应对MOSFET 成为设计的考虑因素，因为随着更快的 用的电子元件，而且也代表着一个众所 电阻的影响，使这些器件更加有效。今 微处理器的发展，PC主板的总 “热预算” 周知的事实一一硅技术的创新已经与满 天 ，Vishay SiliconixMICRO FOOT 产生了大量的热，而且因为功率半导体 足市场需求的表面贴装封装的创新形影 芯片级MOSFET的尺寸范围从2．4mm 器件必须能够处理成比例降低的工作电 不离。 x1．6mm到 1．2mm x1．0mm，高 压及增加的电流。包括引入的一条中间 第一款SO一8封装的表面贴装功率 度低至0．59mm。与之相比，非常小尺 总线电压轨等电源架构的改变 ，同样有 MOSFET出现在约20年之前，是为了 寸的TSOP一6塑料封装为3．05mm × 助于低电压和非隔离式DC De转换器 满足数据存储行业对于电机驱动元件的 2．85mm，高度则为 lFilm，也就是 的采用负载点 (POL)实现方法，这已 需求而推出的。它占用更小的空间，稳 Vishay器件的大约七倍多，厚度则达到 经成为为各种系统的微处理器及其他数 步缩小了磁盘驱动器的体积。上世纪90 了两倍 。 目前 ，M ICRO FOOT 字元件提供更低电压调节的一种必需， 年代初，Siliconix和摩托罗拉相继推出 MOSFET可以采用与用于封装表面贴装 其 中包括笔记本电脑。这意味着可供 了SO一8功率MOSFET，后来若干年又 器件的量产组装相同的工艺技术进行处 MOSFET使用的范围在减少，而且现在 出现 了几代更小封装 ，包括TSSOP 8 理。小占位面积和热路径短的优势使芯 的电源空间分配必须采用POL转换器和 和TSOP 6。与此同时 ，这些器件的应 片级MOSFET成为了空间受限的便携 中间总线轨功率模块。传统上较大的功 用也在不断增加 ，超出了数据存储行业 式设备应用的一种非常理想的选择，如 率MOSFET封装，如DPAK可比其小 的范围，其中包括笔记本电脑和移动电 电池组、PDA、手机和笔记本电脑。 外形同类设计提供好得多的散热性能 ， 话，这些产品稳步缩小了产品体积并赢 MOSFET封装最重要的问题一直 但是在今天的应用当中，它们对可用的 得了更多的功能。在这类系统中，功率 是在热设计方面 。从可靠性的角度来 电路板空间来说实在是太过庞大了。 MOSFET开始扮演节能负载开关的重要 看，这不仅是因为更低的工作温度更加 为了解决这个问题 ，MOSFET$0造 角色，用来关闭不需要使用的显示器或 理想，而且还因为热本身会通过 自加热 商推出了采用专门设计的封装的器件， 键盘背光等功能。随着越来越多的功能 过程给器件带来导通损耗，这种高温运 用来实现比传统SO一8封装更好的散 加入了便携式电子产品，功率MOSFET 行的功率MOSFET将比运行温度较低 热 ，同时保持相同的小占位面积尺寸。 的这种应用正在不断扩展。 的相同芯片产生更高的导通电阻。推出 一 个例子是 VishaY S¨iC0niX 表面贴装功率MOSFET技术的下 新一代更低导通电阻的芯片的部分很重 PowerPAK，这是一种耐热先进型封 一 个重要进展是推出了芯片级器件。几 要的原因是 ，这样可以产生更少的热 装 ，其中的主要热路径不再只是通过引 年前出现的这类器件是为了满足飞速发 量 ，而这些热量可能需要通过封装散 线一一 引线已去除一 一而是通过大面积 展的便携式电子产品小型化的需求。使 掉。 的铜焊点。因此，热阻得到了显著的改 用塑料封装不仅可以节省空间，而且还 功率MOSFET的散热性能已开始 善。封装厚度也减小了，可以实现高密 今 日电子 ·2008年11月 度的DC—DC布局。 整个 20世纪 90年代 ，在功率 径，如果采用来 自风扇的气流或附加的 例如 ，在相同的SO一8占