28纳米及以下互联技术中纳米级多孔介质及相应铜隔离层-半导体科技.PDF

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28纳米及以下互联技术中纳米级多孔介质及相应铜隔离层-半导体科技

Cover Story k 28 45low-k()(interlayer dielectrics, ILD)low-k 28 ILD k ILD 2.5 low-k 45 RC ILD ILD electro migrationEM ILD 65 low-k time-dependent dielectric breakdown, k3.9 TDDB 32 low-k 28 k2.7k ILD k k 45 ILD 28 ultra-low-k 28 k 2.2ILD ILD 2011 28 low-k low-k Harry Whitesell, Eric Hollar, Kang Sub Yim, Li-Qun Xia, Thomas Nowak, Applied Materials, Santa Clara, CA USA 14 2011 Aug/Sep Cover Story k E (GPa) K

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