egfr与自噬在调节脑胶质瘤辐射敏感性中的关系 the relativity of egfr and autophagy in the regulating radiation sensitivity of brain glioma cells.pdfVIP

第29卷第4期 辐射研究与辐射工艺学报 、b1．29．No．4 2011年8月 J．Radiat．Res．Radiat．Process． 2011 August EGF R与自噬在调节脑胶质瘤辐射敏感性中的关系 李峰1龙林梅2梁中琴2 1(苏州大学06级临床医学七年制苏州215123) 2(苏州大学医学部药理学系苏州215123) 摘要放射治疗是目前脑胶质瘤综合治疗最重要的治疗手段之一，但恶性脑胶质瘤产生的耐辐射作用限制了 它的临床作用。因此，寻找胶质瘤耐辐射新机制具有十分重要的意义。研究表明，在脑胶质瘤放射治疗中， factor growth 表皮生长因子受体(Epidermal receptor，EGFR)与脑胶质瘤的辐射敏感性，自噬与肿瘤辐射抗 性产生机制相关；EGFR与自噬的发生存在某种联系，这种联系是否能作为增强脑胶质瘤辐射敏感性的理想靶 点有待进一步深入研究。 关键词表皮生长因子受体。自噬，脑胶质瘤，辐射 中图分类号R818．05，R811．5 脑部肿瘤的发病率在过去数十年里疾速上升， 美国每年有1．8万人被诊断为脑部原发性肿瘤，其 调控着自噬，改变EGFR的活性很有可能会诱发细 中50％为恶性脑胶质瘤。目前，临床治疗脑胶质瘤 胞启动自噬，然而两者的具体关系、以及自噬在调 的主要手段是手术切除，但由于脑胶质瘤的高度浸 节EGFR活性中发挥什么作用尚未有研究报道。 润性，手术后放射治疗是目前脑胶质瘤综合治疗最 EGFR和自噬对肿瘤细胞耐辐射性影响进行深入研 重要的手段之一。但是，在治疗过程中胶质瘤对辐 究，对于脑胶质瘤的综合治疗具有重要意义。本工 射的抵抗性不断增加，而耐辐射的机制仍然没有搞 作将阐述EGFR与自噬在脑胶质瘤发生发展中的作 清楚，因此，寻找脑胶质瘤耐辐射新机制具有十分 用以及在耐辐射机制中的相关性。 重要的意义。 恶性脑胶质瘤的耐辐射性直接影响胶质瘤细胞 1表皮生长因子受体(EGFR) 的存活和增殖，胶质瘤细胞的存活和增殖主要是由 EGFR是位于细胞膜上的酪氨酸激酶型受体。 生长因子及其受体调控的，其中表皮生长因子受体 它通过和配体结合，偶联化，自身磷酸化，诱导一 factor (Epidermalgrowthreceptor，EGFR)最受研 系列下游信号的级联反应。EGFR表达活性的变化 究人员关注【l】，EGFR在脑胶质瘤中不但表达普遍及其基因的突变与肿瘤的发生、恶化以及辐射抗性 增加，而且活性增强，甚至发生基因突型2|。因此， 的产生有密切关系。 已有尝试通过抑制EGFR增强脑胶质瘤放疗敏感性 的治疗方法。同时，近年来研究发现，脑胶质瘤患 1．1 EGFR与脑胶质瘤 者接受放疗时，肿瘤细胞自噬途径被激活【3J。自噬 肿瘤的存活和增殖主要是由生长因子及其受体 是肿瘤细胞遭遇营养剥夺、代谢应激或抗肿瘤药物 调控的，其中EGFR扮演着重要的角色。EGFR被 时所产生的自救机制，而过量的自噬又能诱导肿瘤 激活后主要通过3条途径影响脑胶质瘤细胞，1： 细胞死亡【4，51，所以在临床治疗脑胶质瘤时应该如何 调控自噬争议很大。 2： EGFR—÷PLC—+PKC：3： EGFR—+p13l(／Akt—斗 在肿瘤细胞自噬途径中，磷脂酰肌醇．3