13.56MHz低频功率对60MHz射频容性耦合等离子体的电特性的影响.pdfVIP

第 57卷 第 11期 2008年 11月 物 理 学 报 Vo1．57，N0．11，November，2008 1000．3290／2008／57(11)／7038．06 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2008Chin．Phys．Soc． 13．56MHz低频功率对 60MHz射频 容性耦合等离子体的电特性的影响* 袁强华 辛 煜 黄晓江 孙 恺 宁兆元 (苏州大学物理科学与技术学院，薄膜材料江苏省重点实验室，苏州 215006) (2008年2月2713收到 ；2008年4月 1131收到修改稿) 使用补偿朗缪尔探针诊断技术，研究了60MHz／13．56MHz双频激发容性耦合等离子体的空间电子行为，得到 了电子能量概率函数(EEPF)随径向位置和低频输入功率的演变行为．实验结果表明，13．56MHz射频输入功率的 变化主要影响低能电子的布居，其影响随气压升高而加大．在等离子体放 电中心以外，EEPF呈现出双峰分布的特 性，同时发现从放电中心到极板边缘 ，次能峰有逐渐 向高能区漂移 的现象，次能峰的出现显示 了中能 电子 的增强的 加热效应．通过EEPF方法，计算了等离子体的电子温度、电子密度．讨论了等离子体中的电子加热机理． 关键词：双频激发容性耦合等离子体 ，朗缪尔探针诊断，电子加热模式 PACC：5250D，5280D，5270D 人…采用 PIC／MC数值模拟的研究表明实现离子通 1．引 言 量和能量的独立调控的关键控制参数是高、低频射 频源的驱动频率之比，其 比值大则容易实现两者的 传统的 13．56MHz射频激发的等离子体源广泛 独立调控 ．Turner等人 采用分析模型显示了低 应用于微电子工业中，其中的多道工序，诸如薄膜的 频电流影响DF．CCP空间结构甚至改变等离子体加 刻蚀、沉积、溅射及其他表面处理都离不开等离子体 热机理的特征 ．Kim等人 ，引入 了有效频率 、有效 加工 ．由于单频驱动的容性耦合等离子体 (CCP)无 电流、有效电压等放电参量来描述双频容性耦合等 法独立调控离子轰击能量和离子通量，已不能适应 离子体 ，采用 PIC／MC数值模拟显示了DF．CCP中低 超细线宽和大纵横 比的槽形加工．第三代介质刻蚀 频电流导致电子加热模式的转变．使用 自洽的鞘层 技术——双频激发 的容性耦合等离子体源 (DF． 模型，Wang等人_8研究了双频驱动下等离子体的鞘 CCPs)便应运而生 ．这种 DF．CCP通常是由施加在同 层特性 以及轰击绝缘基片的离子能量分布 ．Dai等 一 电极板或分别施加在上、下两个电极板上的高、低 人 使用 自洽的混合流体模型揭示了类似于无碰撞 频射频功率源共同激发产生的，其中高频源主要用 模拟结果_l。。的受高低频调制空间电场快慢振荡 来控制等离子体的密度，低频源则用来控制到达基 分布． 片表面的离子能量，从而实现了离子通量和能量的 与此同时，用于等离子体测量的探针诊断技术 独立调控，改善了等离子体的可控性，拓宽了基片刻 也得到了发展 ，给等离子体 中射频电磁场结构以及 蚀的工艺窗口．通常，所采用的低频源的频率范围 电位、电子能量分布等 的测量带来 了极大 的方 从数百千赫至十几兆赫 ，高频源从 27MHz到 100 便 ¨一 ．Godyak等人 利用朗缪尔探针观察到 了 MHz或更高 ． CCP中在固定射频电流密度下放电气压导致的电子 近年来，国内外许多研究者使用数值模拟