相变存储器多态存储方法.pdfVIP

第47卷 第1期 复旦学报 (自然科学版) Vo1．47 No．1 2008年2月 Jouma1 of Fudan University(Natural Science) Feb．2008 文章编号：0427—7104(2008)01—0095—06 相变存储器多态存储方法 刘 欣 ，周 鹏 ，林殷茵 ，汤庭鳌 ，赖云峰2， 乔保卫2，冯 洁2，蔡炳初2，BOMY CHEN (1．复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室，上海200433；2．上海交通大学微纳科学技术研究院， 上海 200030；3．Silicon Storage Technology Inc．，1171 Sonora Court，Sunnyvale，CA 94086，USA) 摘 要：提出两种实现相变存储器多值存储的方法．这两种方法基于新的机理，即通过存储单元结构或相变材 料的改进来得到在传统“高阻态”和“低阻态”两态之间稳定的中间电阻状态．与传统实现相变多态存储的方法相 比，利用这两种方法实现的多值相变存储，可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能，有利于在提高存储 密度的同时简化外围电路的设计，在实际应用中有良好的前景． 关键词：微电子技术；相变存储器；多值存储；多值存储单元 中图分类号：TN 402 文献标识码：A 相变存储器是一种新型的固态半导体不挥发存储器，它的存储是基于硫系化合物材料(如Ge2se2rre5， GST)在电脉冲作用下的快速相变[卜 ．相变存储器单元在电学特性上表现为一个可变电阻，在电脉冲信号 作用下在“高阻态”和“低阻态”之间进行可逆的转变．具体表现为具有陡峭下降沿的脉冲，可以将存储材料 加热至熔点然后突然冷却，将其编程到具有高电阻率的非晶态(又称RESET态)；相反地缓慢下降的脉冲 则使晶粒生长，将其编程到具有低电阻率的晶态(又称SET态)．上述两种编程操作分别被称为复位(RE— SET)和编程(SET)．相变存储器具有很多优点，如：非挥发性，器件尺寸小，循环寿命长(10)，高的读取 速度，以及和现代CMOS工艺的良好兼容性等_3 J．这些特点使相变存储器被认为是下一代新型不挥发存 储器中极具竞争力的候选者之一． 目前相变存储器多数采用1T1R的单元结构，即一个选通开关管和一个相变电阻(phase change resis— tor，PcR)构成存储单元，这种结构具有读取速度快，抗干扰能力强的优点．但是由于复位电流较高，因此 选通开关管的面积一般较大，影响高密度应用l4 J．因此许多研究工作都是着眼于如何减小操作电流和如 何增大选通开关管的驱动能力．例如采用掺杂的硫系化合物材料(如掺N或。的GST)、特殊的纳米存储 单元结构(如 型沟槽结构)，以及采用有较好电流驱动能力的FinEFT，双极型晶体管和二极管作为选通 器件等_4 J．然而这些改进的代价是增加了工艺的复杂程度，提高了制造成本． 本文采用一种新的思路“多值存储”应对这一瓶颈问题．对于相变存储器来说，“高阻态”和“低阻态”阻 值相差很大(一般高阻与低阻的比值要大于100)．所以天然具有实现多值存储的优势． 目前有关相变多值存储研究的报道很少，主要是关于相变多值能力研究的，所采用的方法是通过对处 于RESET态的PCR施加不同数目的编程脉冲，而获得不同阻值的电阻状态．其基本原理是晶粒的生长是 一 个连续渐变的过程，编程脉冲的数目可以控制PCR中晶化的比例L5]．但基于晶化比例不同实现的多值 存储，存在着一些缺点．如图1(见第96页)所示，只有“高阻态”和“低阻态”是两个稳定的状态，表现为两 个平缓的台阶，介于“高阻态”和“低阻态”之间没有平缓的停留台阶，这就使得中间状态的阻值波动比较 大，轻微的影响就可能使阻值发生较大的改变，从而降低了抗噪声的容限，增加了电路设计以及校验纠错 的复杂程度． 收稿日期：2007—03—28 基金项目：国家自然科学基金资助项目60373017 作者简介：刘 欣(1981一)，男，硕士研究生；通讯联系人林殷茵教授，E—mail：yylin@fudan．edu．cn 复旦学报(自然科学版)