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第四章主要记忆
第4章 主存储器;4.2 主存储器分类;4.3主存储器的主要技术指标;主存储器的主要技术指标;4.4主存储器的基本操作;4.5读/写存储器(RAM);静态存储器(SRAM);16×1位静态存储器的结构图;1K静态存储器框图;静态存储器的主要技术参数;静态存储器的主要技术参数;动态存储器(DRAM);动态存储器(DRAM);动态存储器的工作方式;4.6非易失性半导体存储器;闪速存储器(Flash Memory);存储器的主要应用;4.7 DRAM的研制与发展;FPM内存;EDO DRAM;SDRAM内存;RAMBUS DRAM;;DDR内存;;DDR 2;;DDR 3、4;4.8半导体存储器的组成与控制;存储器容量扩展;存储器容量扩展;存储器容量扩展;2. 存储控制;动态存储器的刷新方式;3.存储校验线路;4.9多体交叉存储器;编址方式;重叠与交叉存取控制;多体交叉访问存储器工作时间图;作业;;
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