环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究.pdfVIP

第 21卷第 2期 海南师范大学学报 (自然科学版) Vo1．21 No．2 2008年6月 Journal of Hainan Normal University(Natural Science) Jun．2008 环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究 肖清泉，谢 泉 ，杨吟野，张晋敏，赵凤娟，杨创华 (贵州大学电子科学与信息技术学院，贵州 贵阳550025) 摘 要：运用Materials Studio软件对半导体材料Ca2Si的电子结构进行了计算，结果表明， Ca2Si材料为直接带隙类型材料，计算值比实验测量值小．Ca2Si的价带由Ca的4s、4p、3d态和Si的 3p态构成；Ca2Si的导带主要是由钙的3d、4s、4p态构成，硅的3s、3p对导带的贡献相对要小得多． 关键词：环境半导体材料；Ca2Si；电子结构 中图分类号：0 471．5 文献标识码：A 文章编号：1671—8747(2008)02—0148—05 目前，由于Ga、AsAn、Se等资源缺乏，某些有毒元素被大量用来制造半导体器件，因此在促进信息产 业飞速发展的同时。我们也将面临资源短缺和使用上述半导体材料制备半导体器件带来的环境问题．半导 体钙硅化合物Ca2Si，是由资源寿命极长的Ca、Si元素组成，能循环利用，对地球无污染，是一种新型环境友 好半导体材料；并且Ca2Si化合物半导体单晶属于直接能带隙半导体材料，能用于光电子发射，是制备发光 二极管和半导体激光器的理想材料．此外，与现有的硅基技术有着优良的兼容性，在利用成熟硅工艺发展 U I的集成方面具有潜在的开发应用前景． 目前。国内对CazSi半导体材料的研究很少，而国外已经对其开展了许多的实验研究 ．与此同时， 随着计算机软、硬件技术以及固体理论的发展，基于第一性原理的数值计算方法在计算凝聚态物理领域变 得愈发重要。相应地开展了对Ca2Si材料的一系列理论计算研究_4 ”]，有关其能带带隙的计算结果至今还 存在诸多差异[7-9川．本文运用Materials Studio软件对Ca2Si的电子结构进行了比较系统的计算． 1 电子结构计算 美国ACCELRYS分子模拟软件公司推出的Material Studio软件是一种强有力的计算工具．我们选用 了4．0版本，采用了广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)两种近似方法 C i有两种晶体结构，即简单正交结构和立方结构，但简单正交结构是稳定相．稳定的正交相Ca2si 属于Pnma空间群，空间群号为62，晶格常数为 ．766 7 nm，b=0．479 9 nm，c--0．900 2 nm，晶胞里包含4个 Ca2si分子12个原子，Ca原子处于两个非等效位置上．同样，立方相Ca2Si的晶胞也包含4个Ca2si分子12 个原子，Ca原子也处于两个非等效位置上，其晶格常数为a=0．701 6 nm．两种结构的原子分数坐标见表1． 2 结果分析 2．1 Ca~Si的能带结构 图1、图2、图3、图4为正交相和立方相Ca~Si分别在GGA和LDA下的能带结构．表2、表3给出了它 收稿日期：2008-03-12 基金项目：国家自然科学基金资助项目 通讯作者 第2期 肖清泉等：环境半导体材料Ca2Si的电子结构研究 149 3 2 O 们在高对称点上价带顶 和导带底Ec的各种具体能量值． 表1 CazSi晶格内Ca和 从能带结构图、表中我们可以得知，无论是正交相还是立方相，Ca2Si是 Si原子的坐标