直接感光法制备锆钛酸铅镧薄膜图形及其性能.pdfVIP

第29卷 第 6期 半 导 体 学 报 VoI_29 No．6 2008年6月 JOURNAL OF SEMICONDUCTORS June，2008 直接感光法制备锆钛酸铅镧薄膜图形及其性能* 张卫华 石春梅 袁 媛 赵高扬 盛淑月 (西安理工大学材料科学与工程学院，西安 710048) 摘要：采用化学修饰溶胶凝胶工艺，以PVP为薄膜开裂抑制剂，以苯酰丙酮为化学修饰剂，利用其与金属盐形成的配位螯 合物结构，合成了具有紫外光感应特性的锆钛酸铅镧(Pb La 。(Zr Tio。 )03，PLZT)前驱溶胶；对单次提拉得到的凝 胶薄膜进行直接感光法图形制备；通过后续热处理，在Pt／TiO2／SiO2／Si衬底上得到了具有钙钛矿结构的PLZT薄膜图形， 其最终热处理后的膜厚约为260nm，剩余极化强度约为6．7／~C／cm。，矫顽场强约为77kV／cm，相对介电常数约为356，介电 损耗约为0．02，漏电流密度小于10 A／cm ，极化疲劳特性可达10 以上． 关键词：锆钛酸铅镧薄膜；溶胶凝胶；微细图形；感光性 PACC：7780；4270；8270G 中图分类号：TN104．2 文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2008】06．1189．05 介电性能良好的PLZT铁电图形薄膜，是其技术关 1 引言 键L4 ]．本研究针对这一问题，引入PVP作为薄膜开裂 抑制剂，采用改进的化学修饰溶胶凝胶工艺，针对Fe． 锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜具备优良的铁电、介电性 RAM，DRAM器件应用的薄膜厚度需求(～0．25fzm)， 能以及压电效应、电光效应等物理性能，在与si器件集 采用直接感光法，选择组分为Pb0I9 La。．。。(Zr Ti )． 成开发新的功能型器件方面具有巨大的应用前景，是目 o。的PLZT薄膜材料，研究了单次制备铁电、介电性能 前铁电集成器件研究的热点之一。铁电薄膜与si器件 良好的PLZT图形薄膜的可行性，同时对比分析了所制 集成，不仅要求铁电薄膜与si器件的制备工艺过程有 备的图形薄膜形貌、结构和电学性能． 较好的工艺兼容性，而且需要铁电薄膜具有一定的厚度 (以DRAM，FeRAM应用为例，膜厚大致在0．25,um左 2 实验 右)和特定的图形_1~3]。因此，铁电薄膜单层厚度的提高 及其微细图形制备技术，是目前溶胶凝胶法制备PLZT 为了提高薄膜单次制备的厚度，对于溶胶凝胶工 铁电薄膜的研究热点之一． 艺，提高溶胶浓度，减少溶胶中有机物含量是必需的，常 对于多组元的PLZT薄膜，各组元耐蚀性不同，常 规的溶胶凝胶工艺，通常先把单一出发原料分别溶于溶 规的刻蚀方法难以消除边缘效应，从而很难获得清晰规 剂形成出发溶液，再按不同化学计量比混合上述出发溶 整的图形。而围绕铁电薄膜图形制备发展起来的技术如 液，形成PLZT前驱溶胶．这样，受到出发原料在溶剂中 电子束直写(electron beam direct write，EBDw)、纳米 饱和浓度(极限溶解度)的制约，不利于合成高浓度的 压印(nanoimprint lithograph，NIL)和直接感光(direct PLZT前驱溶胶，而常用的高温蒸馏、减压浓缩等溶胶 patterning，DP)等，共同的特征之一是将薄膜图形的制 浓缩方法在本实验条件下，易于导致溶胶丧失感光性、 备过程提前到薄膜的凝胶膜阶段完成，通过随后的热处 不稳定，甚至沉淀． 理工艺实现铁电薄膜晶化和图形的同步制备。其中，直 本研究利用最终溶胶中出发原料之间的水解、聚 接感光(DP)工艺采用化学修饰法与溶胶凝胶法相结 合、交联反应以及共享溶剂，采用改进了的溶胶合成路 合，利用凝