高压元件的动态性安全操作范围.PDF

高壓元件的動態 性安全操作範圍 許健、楊紹明 亞洲大學資訊工程學系 一、前言 自1980 年代 ，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)由於其高功率、高壓、高能量及高 頻而為功率半導體積體電路廣泛地採用[1-3] 。隨著元件尺寸的縮小，先進的功率晶片整合技 術上，在LDMOS 電晶體也大幅減少尺寸以利微縮晶片之面積，然而，在小面積元件上會增加 熱阻抗，降低LDMOS 可以承受的最大能量(Energy Capability)在沒有達到過高的溫度時就隨之 破壞。也因為這個原因的限制，所以引入了對於安全操作區(safe operating area)即靜態操作區 (static SOA) 與該元件的能量傳輸能力(energy handling capability)的新挑戰。由於 LDMOS 的可 靠性高，因此對於可靠性有重大影響的熱效應一直受到研究重視。在不同溫度環境下，LDMOS 元件在熱與電的限制量測下，使用單一脈衝(single pulse safe operating area)的測試，稱之為動 態安全操作範圍(Dynamic SOA)或是能量能力(energy capability) 。而功率元件的單脈衝雪崩能量 (Single Pulse Avalanche Energy)測試是元件規格之一 ，其失效原因即因自發加熱(Self-heating)產 生的高電流及高熱散而造成的[4-7] 。因此在元件的動態安全操作範圍的改善就必需要充分了 解其元件失效的物理原因 ，方能預估該元件設計的能量極限及元件設計改善 。所以一個 LDMOS 的操作工作條件與單脈衝之脈衝寬度(Pulse width)是決定此一元件可以在不發生熱失 控(Thermal-Runaway)的安全操作範圍工作。 本文的目的是討論一個LDMOS 元件在不同操作溫度環境下的能量極限範圍(Dynamic SOA) 並找出其關係曲線 。將利用模擬 800 伏特超高壓 LDMOS 元件與 70 伏特的高壓 LDMOS 元件 經過電性測試即單脈衝雪崩能量(Single Pulse Avalanche Energy)測試模擬，與解析方程式預估 元件之能量負載計算做比較 ，對於不同環境失效之原因探討找出其失效的物理原因 。本文採 取模擬 LDMOS 觀測期元件溫度分布與臨界溫度(Critical Temperature)來分析失效點及物理原 因 。因此模擬結果與解析方程式預估元件能量負載計算結果非常吻合可以準確預估一個 LDMOS 之能量操作極限[10-12] 。 二、元件結構說明及測試方法 在 2002 年 V. Khenmka et.al.的論文中探討 Single RESURF LDMOS 與 Double RESURF LDMOS 元件的能量能力與環境溫度之關係 。該論文宣稱測量出的 Double RESURF LDMOS 的 能量極限與環境溫度是呈線性曲線 (Linear Relationship)。而這線性關係也為H. Hagino et.al. 在 1996 年的 IGBT 元件研究論文提出過 [8-10] 。因此 ，功率元件皆利用外插方法即得到在零能 量時的環境溫度 ，也就是所謂的臨界溫度(Critical Temperature) 。V. Khenka et. al 也在同論文中 提出Double RESURF LDMOS 元件的靜態安全操作範圍(Static SOA)遠較Single RESURF LDMOS 元 件佳。因此本文章探討模擬研究也是採用 Double RESURF LDMOS 元件為研究之目標，其測試 熱特性(thermal characteristic)與熱安全操作區(Thermal Safe Operating Area; T-SOA) ，如圖１所 示 70 伏特 Double RESURF LDMOS 元件模擬剖面結構示意圖 ，其導通電阻(Ron)及擊穿電壓 (Breakdown)以獲取最大優化(即漂移區已完全空乏，達到電荷平衡) 。該元件是利用Ptop 結構 形成多RESURF 元件結構，在元件製程與電特性模擬是採用Synopsys 公司Sentaurus 元件模擬 軟體。