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转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线 - 河北师范大学学报
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第 28 卷 第 3 期 河北师范大学学报 自然科学版 Vol . 28 No . 3
2004 年 5 月 Journal of Hebei Normal University (Natural Science Edition) May . 2004
转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中
垂直布洛赫线的消失
1 1 2 1 ,3
贾莲芝 , 封顺珍 , 胡海宁 , 孙会元
( 1. 河北师范大学 物理学院,河北 石家庄 050016 ; 2 . 中国科学院 物理研究所磁学国家重点实验室 ,北京 100080 ;
3 . 中国科学院 固体物理研究所材料物理重点实验室 ,湖南 合肥 23003 1)
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摘 要 :通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡 OHB 畴壁中垂直布洛赫线 VBL 的消失规律.
结果发现 ,转动面内场作用下 OHB 畴壁中VBL 的消失存在一个临界面内场范围[ H (0) , H ′] , 比不转动面内
ip ip
场时的临界面内场明显变窄 ,主要是由 Hip ′的迅速下降引起的. 证明了面内场作用下 VBL 的最易消失方向为
面内场与畴壁垂直的方向.
关键词 :垂直布洛赫线 ; 哑铃畴 ; 面内场
中图分类号 :O 484 1 文献标识码 :A 文章编号 (2004)
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面内场 Hip 作用下石榴石磁泡薄膜条状畴壁中垂直布洛赫线 VBL 的行为 ,是超高密固态布洛赫
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线存储器 BL M 研制中很好的实验模拟 ,人们对 Hip 作用下硬磁畴畴壁中VBL 的消失规律进行了大量
的实验研究[ 1~3 ] . 但他们研究的均为一次面内场作用下硬磁畴畴壁中VBL 的消失. 文献[4 ]采用直流偏
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场“整形”和面内场交替作用的方法 ,使得在同一面内场 Hip Hip Hip Hip ′作用下 IID 畴壁中 VBL
全部丢失 ,并推测出面内场作用下硬磁畴畴壁中VBL 的消失存在一个最易消失方向. 为进一步探索面
内场作用下硬磁畴畴壁中VBL 的消失机制 ,本文中 ,笔者通过转动面内场作用的方法对硬磁畴畴壁中
VBL 的消失进行了研究 ,进一步证实了面内场作用下硬磁畴畴壁中 VBL 的消失存在一个最易消失方
向 ,并且为准确测定面内场作用下 VBL 不稳定的最小临界面内场提供了一种方法.
1 实验方法
1. 1 实验材料及装置
所用实验装置与文献[ 3 ]相同. 实验所用样品为未经离子注入的〈111〉晶面外延石榴石磁泡薄膜 ,样
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