转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线 - 河北师范大学学报.PDF

( ) 第 28 卷 第 3 期 河北师范大学学报 自然科学版 Vol . 28 No . 3 2004 年 　5 月 Journal of Hebei Normal University (Natural Science Edition) May . 2004 转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中 垂直布洛赫线的消失 1 1 2 1 ,3 贾莲芝 , 　封顺珍 , 　胡海宁 , 　孙会元 ( 1. 河北师范大学 物理学院,河北 石家庄 　050016 ; 2 . 中国科学院 物理研究所磁学国家重点实验室 ,北京　100080 ; 3 . 中国科学院 固体物理研究所材料物理重点实验室 ,湖南 合肥 　23003 1) ( ) ( ) 摘 　要 :通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡 OHB 畴壁中垂直布洛赫线 VBL 的消失规律. 结果发现 ,转动面内场作用下 OHB 畴壁中VBL 的消失存在一个临界面内场范围[ H (0) , H ′] , 比不转动面内 ip ip 场时的临界面内场明显变窄 ,主要是由 Hip ′的迅速下降引起的. 证明了面内场作用下 VBL 的最易消失方向为 面内场与畴壁垂直的方向. 关键词 :垂直布洛赫线 ; 哑铃畴 ; 面内场 中图分类号 :O 484 1 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 (2004) ( ) 面内场 Hip 作用下石榴石磁泡薄膜条状畴壁中垂直布洛赫线 VBL 的行为 ,是超高密固态布洛赫 ( ) 线存储器 BL M 研制中很好的实验模拟 ,人们对 Hip 作用下硬磁畴畴壁中VBL 的消失规律进行了大量 的实验研究[ 1～3 ] . 但他们研究的均为一次面内场作用下硬磁畴畴壁中VBL 的消失. 文献[4 ]采用直流偏 ( (0) ) 场“整形”和面内场交替作用的方法 ,使得在同一面内场 Hip Hip Hip Hip ′作用下 IID 畴壁中 VBL 全部丢失 ,并推测出面内场作用下硬磁畴畴壁中VBL 的消失存在一个最易消失方向. 为进一步探索面 内场作用下硬磁畴畴壁中VBL 的消失机制 ,本文中 ,笔者通过转动面内场作用的方法对硬磁畴畴壁中 VBL 的消失进行了研究 ,进一步证实了面内场作用下硬磁畴畴壁中 VBL 的消失存在一个最易消失方 向 ,并且为准确测定面内场作用下 VBL 不稳定的最小临界面内场提供了一种方法. 1 　实验方法 1. 1 　实验材料及装置 所用实验装置与文献[ 3 ]相同. 实验所用样品为未经离子注入的〈111〉晶面外延石榴石磁泡薄膜 ,样 ( ) ( )