0.6μm CMOS工艺迟滞比较器的失配分析 Mismatch analysis of hysteresis comparator with 0.6μm CMOS process.pdfVIP

第14卷第3期 电路与系统学报 V01．14No．3 OFCIRcUITSANDSYSTEMS June，2009 2009年6月 JOURNAL 文章编号：1007—0249(2009)03—0087-05 CMOS工艺迟滞比较器的失配分析★ 0．6pm 焦阳1， 王志功蝌， 徐建2 1．东南大学射频与光电集成电路研究所，江苏南京210096：2．江苏新志光电集成有限公司．江苏南京210018) 搞奠·本文对一个采用0．6ttmCMOS工艺的迟滞比较器的失配性能进行了理论分析，探讨了关键部件的尺寸失配 对该比较器迟滞性能的影响。Hspice仿真证明了理论分析的正确性；MonteCarlo仿真进一步分析了该比较器性能对失 配参数的敏感性。本文的工作为今后的抗失配设计改进提供了方向。 关键词。失配；CMOS工艺：迟滞比较器；MonteCarlo分析 中圈分类号·TN432文献标识码·A —I言 ≯‰一 一‰奸 迟滞比较器是比较器的一个重要分广—t+1_=． +=下+．t—1 支，应用于抗噪处理和信号检测中n1，是 k—4—+l∥叭l·．．奉。J 一个非常重要的模块。迟滞是一种输入输：■7扩面肆面邙———t磊冲瓦把 ’” 出特性，代表输入阈值是输入电平的函数。 I l ● ● l I 当输入大于阈值时，输出跳变，同时阈值=-一L．7广L_．__卜≮≮ 减小；所以，若要再次改变输出状态，则 逆时V针O‘二稳态迟滞 顺时针双毫V态OL迟滞 输入值必须降低到小于原阈值。该输入输 图l迟滞比较器的输入一输出特性 出特性可以更清晰地显示如图1。 迟滞比较器的主要指标为中心电平偏移电压‰，迟滞窗口宽度％加，延时，噪声，增益等。其中， 条件的影响。现今，由于其低成本，高集成度和易于获得等优势而被广泛采用的CMOS工艺，与双极 型等工艺相比，在失配方面具有先天的不足【31。失配分析，是保证电路准确性和生产良率的重要环节， 是一项非常有意义的工作。 n 本文对一个基于华润上华公司(CSMC)O．6um CMOS工艺的迟滞比较器进行了分析，在第2节中通 过理论分析，找出了尺寸失配参数对圪，和‰加的影 响与增减关系：第3节首先用Hspice仿真验证了第2 节中的理论，再利用Monte Carlo方法分析了‰和 ‰加对两个主要失配参数k和Ah／H的敏感程度；第4 节提出所做工作对今后设计的指导；第5节总结。本 M 文的工作为今后从设计上改进该电路对失配的敏感度 提供了方向。 2 理论分析 图2 内反馈迟滞比较器的结构 图2为一个经典的内反馈迟滞比较器川。 电路包含两条反馈回路：一条是MI和M2的共源点形成的电流串联负反馈回路；另一条是M6和 M7的栅一漏极连接形成的电压并联正反馈回路。风／尼l时，整个电路呈现负反馈，无迟滞出现； +收稿日期·2006-03-20修订日期：2006．04．25 #通信作者·zgwang@SeU．edu．cn 万方数据 电路与系统学报 第14卷 展／孱l时，整个电路呈现正反馈，出现迟滞。其中层：以Lf军1。所以，为产生迟滞，必须使 尼／鼢l，即盟(rr／盟Lhlo ．