0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器 0.13μm BiCMOS Low Dropout Regulator.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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集成电路设计、制造与应用 and oflC Design，ManufacturingApplications DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．02．004 0．13 BiCMOS低压差线性稳压器 pm 严鸣，成立，奚家健，丁玲，杨泽斌 (江苏大学电气信息工程学院，江苏镇江212013) 摘要：设计了一种0．13斗m 带软启动的BiCMOS带隙基准源、“套筒式”共源一共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性对温度的敏感性较小，故能为LDO提供高精度的基准电压。对所设计的LDO进行了工艺流片。流片测试结果表明，该LDO可提供60mA的输出电流且最小压差只有100mV。测试同时验证了所设计LDO的负载和瞬态响应都得到改善：负载调整率为0．054mV／mA，线性调整率为 0．014％，而芯片面积约为0．094mm2，因此特别适用于高精度、便携式片上电源系统。关键词：BiCMOS器件；低压差线性稳压器；带隙基准源；共源一共栅；高精度中图分类号：TN432文献标识码：A 0．1 Low 3川阻BiCMOSDropoutRegulator Yan Ming，ChengLi，XiJiajian，DingLing，YangZ．ebin and (InstituteofElectricityInformation，JiangsuUniversity，Zhenjiang212013，China) kindof0．1 BiCMOSlow was BiCMOS Abstract：A 3斗m dropoutregulatordesigned，including error referencewithsoft-startcircuitandcascode amplifier，BiCMOSband-gap in ofBiCMOSerror wasusedto bias—currentcircuitlocated dynamic t．heprecedingstage amplifier improve thetransient itslow BiCMOS temperaturesensitivity．，theproposed band—gap response．Because referencecould referenceforLDO．The LDOwas outand supplyhighprecision voltage designed taped tested．Theresultsshowthatthe LDOis of 60mAof cuk,rentwitha designed capableproviding output minimum of100 theloadtransient andlinetransient voltage mV．Meanwhile，both respond dropout are LDOhasaload of0．054 line of