MOSFETIGBT半桥驱动芯片IR2111应用研究.pdfVIP

空旦圆 11 MOSFET／IGBT半桥驱动芯片IR21的应用研究 王 超 (浙江丽水学院， 浙江丽水 323000) 7霭∥ 摘要：本文介绍了MOSFET／lGBT半桥驱动芯片IR21ll的使用情况，分析了其工作电路中外围各元器件的作用，同时指出了在使 用过程中廊注意的一些问题和现象，并对不同公司的MOSFE们GBT驱动芯片作了简要介绍。 关键词：MOSFEl以GBT；半桥驱动；IR2111 耄 玛 中图分类号：TN4 文献标识码：A 文章编号：1009—9492(2008)08—0057—03 {* 。 ；墨 。。瀛绸幽幽■=- 1引言 IR2111典型应用电路如图1所示。 功率场效应管(MOSFET)是20世纪70年代后出现 的电压控制型中小功率器件，有P沟道和N沟道之分，都 BT，注意应外接或内置保护、续流二极管，下管是指接到 具有开关速度快、损耗低、驱动功率小，无二次击穿的优 低电压端的MOSFET或IGBT。 点。在电源、直流有刷、无刷电机驱动、逆变器等场合广 泛应用。 的开关损耗。 绝缘栅双极晶体管(IGBT)是1986年后出现的中大 功率器件，分为P沟道和N沟道。它集合了MOSFET和功 IN是控制信号的输入端，输入等效电阻很高，可直接 率晶体管(GTR)的优点，也广泛应用在各种逆变器中， 连接来自微处理器、光耦或其它控制电路发出的信号。逻 是取代GTR的理想器件【“。 的电压为逻辑O；6．4—15V的电压为逻辑1。输入端电压为 MOSFET和IGBT虽然在开关速度和最大导通电流上 有所不同，但它们的驱动电路是相似的。有分立元件的驱 动电路，也有专用的集成电路驱动芯片，还有将多个功率 出端Lo输出低电平，关闭下管。输入端电 器件和驱动电路都做在一起的智能功率模块。 使用专用的集成电路驱动芯片设计的电路有线路简 ，情时璒呒刮缪说攵淙Ｊ堋鹿障 单、成本低廉的优点，在成本敏感的应用中是最好的选 Rec嘶er，简 择。IR2111是国际整流器公司(Intema