碘化铟晶体本征缺陷的第一性原理研究-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 24 (2013) 243101 碘化铟晶体本征缺陷的第一性原理研究* 1 1 2† 1 3 张伟 徐朝鹏 王海燕 陈飞鸿 何畅 1) ( 燕山大学信息科学与工程学院, 河北省特种光纤与光纤传感重点实验室, 秦皇岛 066004 ) 2) ( 燕山大学环境与化学工程学院, 河北省应用化学重点实验室, 秦皇岛 066004 ) 3) ( 圣路易斯大学工业工程学院电子与计算机工程系, 美国圣路易斯 63103 ) ( 2013 年7 月30 日收到; 2013 年9 月16 日收到修改稿) 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法, 对正交碘化铟(InI) 晶体可能存在的6 种本征点缺陷(碘空位、铟空 位、碘占铟位、铟占碘位、碘间隙、铟间隙) 结构进行优化. 通过缺陷形成能的计算, 得出各缺陷在生长过程中形 成的难易程度; 通过态密度的计算, 分析出各种缺陷能级位置及其对载流子传输的影响. 结果表明: 最主要的低能缺 陷铟间隙会引入复合中心和深空穴陷阱, 前者降低少数载流子的寿命, 后者俘获价带的空穴而降低空穴的迁移率- 寿命积. 计算结果为实验中提高InI 晶体载流子的迁移率- 寿命积提供理论指导, 对获得性能优异的InI 核辐射探测 材料有重要帮助. 关键词: 碘化铟, 形成能, 缺陷能级, 深空穴陷阱 PACS: 31.15.es, 71.15.Mb, 71.20.Nr, 71.15.Nc DOI: 10.7498/aps.62.243101 素, 如CdTe 中的Cd 元素、HgI2 中的Hg 元素以及 1 引言 5 GaAs 中的As 元素, In 和I 的毒性要低 , 因此InI 成为近年来重点研究的室温核辐射探测器的新材 室温半导体核辐射探测器是20 世纪60 年代 料之一. 以来得到迅速发展的一种新型核辐射探测元件, 与 国外关于InI 的研究主要集中在晶体生长和探 气体探测器和闪烁计数器相比具有探测效率高、 测器试制方面. 1955 年, Jones 和Templeton4 在300 能量分辨率好、体积小、携带方便等许多优点, 在 ◦C 下通过加热In 和稍微过量I 的方法合成了碘化 环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核 铟单晶, 并且分析了碘化铟的晶体结构. 1956 年, 武器突防、航空航天等领域具有广泛而重要的用 12 Peretti6 完成了In-I 系统相图的绘制. 1972 年, Levy 途 . 和Mooser7 研究了碘化铟单晶在低温下的光谱. 碘化铟(InI) 晶体是一种极有前途的室温核辐 8 3 1978 年, Ohno 等 通过升华法合成了碘化铟单晶, 射探测器材料 , 它具有较大的原子序数(ZIn 49,