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LT03制式磁头的优化设计 Optimized design of LTO3 magnetic heads
LT03制式磁头的优化设计
邓俊彦1,邓沛然2,邓芬燕3
(1.东莞理工学院城市学院实验中心,广东东莞523106;
。2.上海工程技术大学材料工程学院,上海201620;
3.长沙大学实验中心,湖南长沙4100031
摘要:LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,LT03是第三代LTO产品,磁头为各向异性磁电阻
磁头(AMR)。本文应用田口方法对磁头的关键参数进行优化设计,如磁电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo
的厚度和屏蔽层的参数,对各因素的影响作了定量分析,确定了影响磁头性能的关键因素,从而获得了最佳的
设计参数,使磁头有较好的性能和稳定性。
关键词:LT03制式磁头;各向异性磁电阻磁头;田I:/方法;优化设计
中图分类号:TN646 文献标识码:B 文章编号:1001.3830(2011)02-0046.04
ofLT03 heads
Optimizeddesign magnetic
DENG Pei—ran2,DENG
Jun.yanl,DENG Fen—yan3
i.Lab 5231
Center,CityCollege.DongguanUniversity 06,China:
ofTechnolody.Dongguan
2.School and
ofMaterialsTechnology
Engineering.ShanghaiUniversityof
EngineeringScience.Shanghai20162nChina;
3.Lab 410003,China
Center,ChangshaUniversity.Changsha
Abstract:ThedrivewithLTOformatisusedfordata in isthethird
tape server,LT03 which
storage generation
of of
adoptsanisotropicmagnetoresistive(AMR)heads.Thedesignparametersmagneticheads,thicknessNiFe,
methodS.Thefactorswere andmain
SAL(CoZrMo)andGapdimensions,wereoptimizedbyTaguchi key analyzed
f.acto体weredetermined.andthe wasobtained.
design
optimized
words:LT03
Key head;anisotropicmagnetoresistive
heads;Tanguchimethods;optimizeddesign
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