LT03制式磁头的优化设计 Optimized design of LTO3 magnetic heads.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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LT03制式磁头的优化设计 Optimized design of LTO3 magnetic heads

LT03制式磁头的优化设计邓俊彦1，邓沛然2，邓芬燕3 (1．东莞理工学院城市学院实验中心，广东东莞523106；。2．上海工程技术大学材料工程学院，上海201620； 3．长沙大学实验中心，湖南长沙4100031 摘要：LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存，LT03是第三代LTO产品，磁头为各向异性磁电阻磁头(AMR)。本文应用田口方法对磁头的关键参数进行优化设计，如磁电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo 的厚度和屏蔽层的参数，对各因素的影响作了定量分析，确定了影响磁头性能的关键因素，从而获得了最佳的设计参数，使磁头有较好的性能和稳定性。关键词：LT03制式磁头；各向异性磁电阻磁头；田I：／方法；优化设计中图分类号：TN646 文献标识码：B 文章编号：1001．3830(2011)02-0046．04 ofLT03 heads Optimizeddesign magnetic DENG Pei—ran2，DENG Jun．yanl，DENG Fen—yan3 i．Lab 5231 Center,CityCollege．DongguanUniversity 06，China： ofTechnolody．Dongguan 2．School and ofMaterialsTechnology Engineering．ShanghaiUniversityof EngineeringScience．Shanghai20162nChina； 3．Lab 410003，China Center,ChangshaUniversity．Changsha Abstract：ThedrivewithLTOformatisusedfordata in isthethird tape server，LT03 which storage generation of of adoptsanisotropicmagnetoresistive(AMR)heads．Thedesignparametersmagneticheads，thicknessNiFe， methodS．Thefactorswere andmain SAL(CoZrMo)andGapdimensions，wereoptimizedbyTaguchi key analyzed f．acto体weredetermined．andthe wasobtained． design optimized words：LT03 Key head；anisotropicmagnetoresistive heads；Tanguchimethods；optimizeddesign