GaAs HFETPHEMT大信号建模分析.pdf

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 年 月 大信号建模分析 张书敬 杨瑞霞 高学邦 杨克武 河北工业大学信息工程学院天津 中国电子科技集团公司第 研究所石家庄 摘要在分析 建模设计在片校准和测试方法的基础上提出了电荷守恒的 模 型通过 测量技术采用在片测试技术结合窄脉冲测试技术提出了 器件 大信号模型实验说明提出的大信号模型模拟结果与实例结果吻合得很好 关键词砷化镓场效应晶体管微波集成电路功率器件模型测试结构精确建模 中图分类号 文献标识码 文章编号 引言 半导体器件模型是影响电路设计精度的最主要 因素 电路规模越大指标和频段越高对器件模型 的要求也越高 因而准确的器件大信号建模对提高 和微波毫米波功率电路及其他非线性电路设计 的成功率和缩短电路研制周期是非常重要的 精确 的元器件模型是单片电路设计成功的关键 图 建模系统框图 由于当前的工艺技术制作的器件展示出复杂的特 性对精确的