华南理工半导体物理—第四章.pptVIP

第四章 半导体的导电性 4.1 半导体的导电原理 4.2 载流子的漂移运动,迁移率及散射机构 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 本征半导体 在0K时，没有导电能力； 在常温下，本征激发产生的导带电子、价带空穴数量较少，导电能力较差。 杂质半导体 在常温下，杂质产生电离。施主杂质电离产生电子，使导带部分填充；受主杂质电离产生空穴，使价带部分填充。 杂质半导体的导电能力与掺杂浓度和杂质的电离程度相关。 半导体导电的宏观电流——欧姆定律的微分形式 欧姆定律 电流密度 第四章 半导体的导电性 4.1 半导体的导电原理 4.2 载流子的漂移运动,迁移率及散射机构 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 漂移运动，迁移率与电导率 漂移运动：载流子在电场力作用下的定向运动，定向运动的速度称为漂移速度 电离杂质散射 半导体中的电离杂质形成正、负电中心，对载流子有吸引或排斥作用，从而引起载流子散射。 晶格原子振动 格波：晶格中原子的振动都是由若干不同的基本波动按照波叠加原理组合而成，这些基本波动称为格波。 格波波数矢量：取决于晶体原胞中的原子数，每个原子对应一个q具有3个格波。频率低的为声学波，频率高的是光学波。无论声学波还是光学波均为一纵（振动与波传播方向相同）两横（振动与波传播方向垂直）。在长波范围内，声学波的频率与波数成正比，光学波的频率近似是一个常数。 声学波散射 长纵声学波——晶体的体应变——原子排列疏密相间变化 （原子间距变化）——能带起伏——附加势（形变势）—— 对载流子散射 在硅、锗等非极性半导体中，纵声学波散射起重要作用. 对于球形等能面的半导体，具体理论分析所得到的纵声学波的散射几率为： 光学波对载流子的散射几率 第四章 半导体的导电性 4.1 半导体的导电原理 4.2 载流子的漂移运动,迁移率及散射机构 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 小结 低温和重掺杂时，电离杂质散射主要; 高温和低掺杂时，晶格振动散射为主要的。 第四章 半导体的导电性 4.1 半导体的导电原理 4.2 载流子的漂移运动,迁移率及散射机构 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 例1：计算在300K下，一迁移率为1000cm2/(V·s)的电子的平均自由时间和平均自由程。设mn=0.26m0 解 根据定义，得平均自由时间为 所以，平均自由程则为 又 平均自由时间与散射几率的关系 在晶体中,载流子频繁地被散射,每秒大约可以发生1012 ~ 1013次。 ⒈散射几率 ①单位时间内,每个载流子被散射的次数; ②单位时间内,被散射的载流子数占总载流 子数的比例。 ⒉平均自由时间 自由时间：载流子在电场中做漂移运动时，连续两次散射之间的时间才做加速运动，这段时间为自由时间。 载流子有一定的散射几率，并不表示它们在相继两次散射之间所经历的时间是固定的；相反这个时间却是有长有短。 平均自由时间：指相继两次碰撞之间平均所经历的时间。 设有N个速度为ν的载流子，在t=0时，刚刚遭到一次散射。在t时刻，载流子中有N个尚未遭到碰撞，则在t到t+Δt之间，遭碰撞的载流子数为： N0为t=0时未遭散射的载流子数。利用这个解，在t到t+dt时间内遭碰撞的载流子数为： 由于dt很短，可以认为在t到t+Δt时间内遭到散射所有载流子的自由时间均为t，则这些载流子自由时间的总和为： 即：平均自由时间的数值等于散射几率的倒数。 平均自由时间为： 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 通过计算外电场作用下载流子的平均漂移速度，可以求得载流子的迁移率和电导率。 假定每次散射后V0方向完全无规则，即散射后向各个方向运动的概率相等，所以 因此，只要计算多次散射后第二项的平均值即得到平均漂移速度。 在t---t+dt个时间内遭散射的电子数为 每个电子获得的速度为 由此得电子的平均漂移速度为: N0个电子的平均速度为： 迁移率是表示单位电场的作用下，载流子所获得的漂移速度的绝对值，它是描述载流子在电场中漂移运动难易程度的物理量． 同理,空穴的迁移率为： 各类材料的电导率： 对于N型半导体，在杂质电离的温度范围内，起导电作用的主要是导带中的电子，电导率公式为 对于P型半导体，电导率σp为 在半导体中电子和空穴同时导电时 多能谷情况下的电导率 对于等能面为球形的半导体，上面的