W掺杂对β-Ga2O3导电性能影响的理论研究.pdf

物 理学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．5(2014)057102 W 掺杂对 一Ga2O3导电Dl土4-~月k匕；影响的理论研究冰 郑树文十 范广涵 何苗 赵灵智 (华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室，广州 510631) (2013年 10月29日收到；2013年 l1月21日收到修改稿) 采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法，对不同W 掺杂浓度下 ．Ga203的导电性能进行研 究．计算了fl_Ga20一)w2O3(x=0，0．0625，0．125)的优化参数、总态密度和能带结构．结果表明，W掺入 fl_Ga203使Ga2(1一1W2zO3材料的体积增大，总能量升高，稳定性降低．当W 的掺杂量较小时，其电子迁移 率较大，导电性能也很强．当增加W 的掺杂量，Ga2(1一1W203材料的平均 电子有效质量就略有增大，能隙 变得越窄，这与实验 的变化趋势相一致． 关键词：一Ga203，电导率，W 掺杂，密度泛函理论 PACS：71．15．一m．71．15．Mb．72．15．v DOI：10．7498／aps．63．057102 Shigeo等 [】用浮区法制备出Sn掺杂 一Ga2O3薄膜 1 引 言 的电导率为12．6S．cm_。，Uedg等 6【1通过优化Sn 掺杂量获得 一Ga203薄膜 电导率达到38S．cm_。． 随着光电子产业的快速发展，透明导电氧化 而Yamage等 []在研究Si掺杂对 一Ga2O3电导率 物 (TCO)因具有透 明和导电的性质，在太阳能电 的影响时发现，Si原子主要 以替位的方式存在 池、平板显示、光 电器件和探测器等领域 中有广泛 于 一Ga2O3材料 中，通过改变Si的掺杂量可使 一 的应用，一直受到大家的关注．传统的TCO材料 Ga2O3的载流子浓度提高3个数量级，进而实现 (主要包括In2O3：Sn(ITO)，SnO：F和ZnO：A1等)由 一 Ga2O3的电导率调控．2008年Villora等 [8]采用 于材料能隙的限制只适用制作紫外至红外波段的 浮区法制备了不同Si掺杂量的 一Ga2O3薄膜，得 光电器件，这限制了深紫外光电器件的发展．单斜 到薄膜 的电导率在0．03S．cm 与50S．cm 之间， 晶系 一Ga2O3材料是一种宽禁带半导体 (Eg=4．9 对应的n型载流子浓度为5Xi0 至2×i08cm_。． eV[】)．是 目前所知道禁带宽度最大的氧化物透明 最近两年，我 国闫金 良教授 团队[9]也开展Si掺杂 材料，其化学性能稳定，有望用于制作更短波长 的 一 Ga2O3薄膜 的研究，采用PLD方法成功制备出 新一代光电器件 [，引，所以最近几年引起研究者的 Si掺杂量为0．76at％的 一Ga2O3薄膜 ，分析得知Si 重视．本征的 一Ga2O3材料导电性能差，制约了其 掺杂 一Ga2O3薄膜会使吸收光谱带隙增大，但没有 在光 电领域 的应用．为改善 一Ga2O3材料 的导电 给出电导率或 电阻率的实验数据．说明的是，Si和 性能，学者们通过实验和理论两方面对 一Ga2O3材 Sn为同一主族，容易失去4个价电子显+4价，通过 料进行掺杂的导电研究，目前主要是往 一Ga2O3材 替位Ga3+产生多余一个 自由电子来提高 一Ga2O3 料中掺杂Sn和Si进行导电改性工作．2002年Ori— 材料的载流子浓度，进而提高其电导特性．但上 ta等 【】用PLD法在蓝宝石衬底上制备了Sn掺杂 述的实验结果显示通过掺Si或Sn来提