不同类型蒸发源对平面夹具薄膜均匀性的影响3.pdfVIP

　第 17卷 　第 10 期 强 激 光 与 粒 子 束 Vo l. 17 ,No. 10　 　2005年 10 月 H IGH POW ER LA SER AND PAR T ICL E B EAM S O ct. , 2005　 文章编号 : (2005) 不同类型蒸发源对平面夹具薄膜均匀性的影响 董 　磊 , 　赵元安, 　易　葵 , 　邵建达 , 　范正修 ( 中国科学院 上海光学精密机械研究所, 上海 20 1800) 　　摘 　要 : 　分析了几种可能的实际蒸发源与薄膜均匀性的关系 ,其中包括扩展的平面蒸发源和曲面蒸发 源 。通过实验论证了薄膜均匀性对蒸发源尺寸和蒸发特性的依赖关系 。得到的分析结果表明: 当蒸发源半径 和夹具高度的比值小于 1/ 17 时 ,蒸发源可以被视为一个点面源 ;大于 1/ 10 时 ,应当把蒸发源视为面面源进行 考虑 。当挖坑深度和蒸发源半径的比值介于 0和 0. 5之间时 ,挖坑对薄膜均匀性造成的影响基本可以忽略 ;大 于 0. 6 时 ,挖坑效应明显影响薄膜的均匀性 。 　　关键词 : 　薄膜 ; 　均匀性 ; 　蒸发源 ;挖坑效应 　　中图分类号 : 　 O484　　　　文献标识码 : 　A 　　在镀膜的沉积过程中 ,膜层均匀性是一个重要问题 。膜厚均匀性是指膜厚随基板表面位置的变化 ,膜厚的 均匀性不好 ,将严重影响薄膜的特性 。对于膜厚均匀性的影响 , 国内外的研究工作基本都是从蒸发源与基板之 间的几何配置对均匀性进行分析和研究的[ 1～3 ] 。但是事实上 ,在实际的镀膜过程中 ,除了蒸发源与基板之间的 几何配置之外 ,蒸发源的蒸发特性特别是蒸发过程中出现的挖坑效应对均匀性有着不可忽视的影响 。为了搞 清楚实际蒸发源对薄膜均匀性影响的规律 ,本文分析了几种可能的实际蒸发源和薄膜均匀性的关系 ,其中包括 扩展的平面蒸发源和曲面蒸发源 。在此基础上 ,通过实验论证了薄膜均匀性对蒸发源尺寸和蒸发特性的依赖 关系 。 1　理论分析 1. 1　传统理论对于蒸发源的研究 　　基板上任何一点的薄膜厚度 ,决定于蒸发源的发射特性以及几何配置 。早期的研究表明 ,蒸发源通常可分 为两类 :一是点蒸发源向各个方向均匀地发射蒸汽分子 ;二是面源的蒸汽密度按所研究的方向与表面法线间的 夹角呈余弦分布 ,即遵守 Knud sen 定律 [ 3 ] 。 　　对于实际的蒸发源 ,一般说来 ,当蒸发源和基片的距离较远时 ,可以忽略蒸发源的大小 ,也就是说 ,把蒸发 源作为一个点面源来考虑 ,但是当蒸发源的面积较大时 ,应当对蒸发源的表面面积加以考虑 ,作为一个面面源 来处理较为妥当。所以当处理这种较大面积的蒸发源的时候 ,有必要考虑所有的无穷小单位面积对于薄膜厚 度的作用 。 1. 2　考虑实际蒸发面积的蒸发源 　　图 1为镀膜机内夹具和蒸发源的几何配置意示图 ,其中 ,夹具 距离蒸发源所在平面的高度 SO = h; 蒸发源和 xOy 平面相交得到 ( ) 的平面中心所在点的坐标为 a, b, 0 。蒸发源表面为一曲面 ,设 曲面方程为 ( ) ( ) f x, y, z = 0 1 　　A 为平面转动夹具上任意一点, 作夹具所在平面的垂线 A T, Fig. 1　Geom etrical configu ration of the coating m ach ine θ 图 1　镀膜机的几何配置 ∠BA T = , 夹具的高度为 h。设