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提 纲 (1) 材料的电导性能 §3.1 电导的基本概念 §3.2 电导的物理本质 §3.3 离子电导 §3.4 电子电导 §3.4.1 能带理论基础 §3.4.2 载流子浓度 §3.4.3 电子迁移率 §3.4.4 电子电导率 §3.4.5 电子电导率的影响因素 §3.5 无机材料的电导 §3.6 半导体陶瓷的物理效应 (2) 材料的介电性能 根据导电性能的好坏，常把材料分为导体、半导体和绝缘体。不同材料的导电能力相差很大，是由它们的结构和导电本质所决定的。 我们已经知道，电子电导的载流子是电子和空穴，电子电导主要发生在导体和半导体中。 金属是靠自由电子的运动产生导电现象，半导体材料没有自由电子，显然并非所有电子和空穴都能参与导电，那什么类型的电子或空穴才能在电场的作用下产生定向迁移，形成载流子？ 能带理论：用单电子近似的方法处理晶体中电子能谱的理论，并考虑了晶体原子的周期势场对电子运动的影响（从而区别于量子自由电子理论）。 单电子近似：假定固体中的原子核不动，设想每个电子是在固定的原子核的势场及其他电子的平均势场中运动。 用这种方法求出的电子在晶体中的能量状态，将在能级的准连续谱上出现能隙（能量分布的间隙，即其不连续性），即分为禁带和允带。 能带：一定能量范围内的彼此相隔很近的许多能级形成的一条带。由于晶体中电子能级间的间隙很小，所以能级的分布可以看成是准连续的。 禁带：又称为能隙，即不允许电子和空穴存在的、相邻两能带之间的能量间距，是无电子能级的能量区域，即晶体中的电子不能具有这种能量。通常指价带之上，导带之下的一段能量区间。为了产生电导，必需将电子激发，越过禁带，进入导带。禁带的宽度表征从价带激发至导带时所需的能量。 允带：电子可以具有的能级所组成的能带。 允带与禁带相互交替，形成材料的能带结构。 允带分为满带、空带及含有空能级的不满带。 满带：完全被电子占据的能带（每一能级都被两个自旋相反的电子占据），在能带图中满带在最下方，电子能量低，不足以参加物理过程（除非受激发），满带中的电子不会导电。 空带：没有电子占据的带（所属各能级上没有电子），也无导电性。 空能级是指允带中未被填满电子的能级，具有空能级的允带中的电子是自由的，在外电场的作用下参与导电，这样的允带成为导带。 能带图一般包括导带、禁带和价带。 价带：价电子所占据的能带，或与原子中价电子的能量相对应的能带。对于半导体和绝缘体，价带是满带中能量最高的能带。由于热激发、光辐射或掺入杂质等原因，价带可能失去少量电子，留下空穴，从而产生空穴导电。在金属中价带又是导带，所以金属能导电。 价电子指原子核外电子中能与其他原子相互作用形成化学键的电子。能量比价带低的各能带一般都是满带。 导带：部分被占据的能带，或最靠近价带而能量较高的能带。导带中的电子能自由活动。由于热激发、光辐射或掺入杂质等原因，导带出现少量电子，从而产生电子导电性。 提 纲 (1) 材料的电导性能 §3.1 电导的基本概念 §3.2 电导的物理本质 §3.3 离子电导 §3.4 电子电导 §3.5 无机材料的电导 §3.5.1 玻璃的电导 §3.5.2 多晶多相材料的电导 §3.5.3 次级现象 §3.5.4 无机材料电导的混合法则 §3.6 半导体陶瓷的物理效应 (2) 材料的介电性能 提 纲 (1) 材料的电导性能 §3.1 电导的基本概念 §3.2 电导的物理本质 §3.3 离子电导 §3.4 电子电导 §3.5 无机材料的电导 §3.6 半导体陶瓷的物理效应 §3.6.1 晶界效应 §3.6.2 表面效应 §3.6.3 西贝克效应 §3.6.4 p-n结 (2) 材料的介电性能 纯净玻璃的电导率一般较小，但含有少量的碱金属离子可使电导大大地增加。 玻璃的离子电导率主要由碱金属离子浓度、温度和活化能决定。温度和活化能对电导率的影响呈指数关系。 碱金属离子浓度影响活化能：浓度不大时，碱金属离子浓度增加仅增加了载流子浓度；当浓度超过一定的限度，结构被破坏而松散，活化能（势垒）降低。 另外，组成也对玻璃电导有影响，实际中生产中发现：利用双碱效应和压碱效应，可以减少玻璃的电导率，甚至可以使玻璃电导率降低4-5个数量级。 双碱效应： 当玻璃中碱金属离子总浓度较大时(占玻璃组成25-30%)，在碱金属离子总浓度相同情况下，含两种碱金属离子比含一种碱金属离子的玻璃电导率要小；当两种碱金属浓度比例适当时，电导可降到最低。 硼钾锂玻璃电导率与锂、钾含量的关系 双碱效应产生的原因： 电导率主要由载流子浓度和载流子迁移率所决定。总浓度相同，考察迁移率。在有两种碱金属离子的时候，由于自身性质和结构环境的差异（离子半径引起空位大小），