GHz~GHzCMOS超宽带低噪声放大器分析与设计太赫兹科学与.PDF

第 12 卷 第 2 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．12，No．2 2014 年 4 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Apr．，2014 文章编号：2095-4980(2014)02-0238-05 3 GHz~5 GHz CMOS 超宽带低噪声放大器分析与设计 唐江波 (广西壮族自治区 龙潭医院，广西壮族自治区 柳州 545005) 摘 要：采用 TSMC 公司的 0.18 μm CMOS 工艺，设计了一款具有带外抑制功能的超宽带低噪 声放大器(UWB LNA)，电路基于窄带 PCSNIM LNA 拓扑结构，并利用二阶切比雪夫滤波器和带外抑 制电容代替传统输入匹配网络。电路由 1.8 V 直流电源供电，功耗约为 11.5 mW 。仿真结果表明， 在 3 GHz~5 GHz 的超宽带频段内，平均正向增益约为 13.9 dB ，输入、输出回波损耗 S11 和 S22 分别 小于-13 dB 和-15 dB ，最小噪声系数仅为 0.997 dB ，三阶交调点 IIP3 均值为 5.40 dB 。此外，反向 隔离度 S12 和稳定性 StabFact1 等性能指标也取得了不错的仿真效果。 关键词：超宽带；低噪声放大器；二阶切比雪夫滤波器；带外抑制电容 中图分类号：TN710 ；TN432 文献标识码：A doi ：10.11805/TKYDA201402.0238 Analysis and design of a 3 GHz-5 GHz CMOS Ultra-Wideband Low Noise Amplifier TANG Jiang-bo (The Guangxi Zhuang Autonomous Region Longtan Hospital，Liuzhou Guangxi 545005，China) Abstract： A Ultra-Wideband Low Noise Amplifier(UWB LNA) with out-band suppression function is designed by using the TSMC 0.18 μm CMOS process. The circuit is based on narrow-band PCSNIM LNA topology, and a second-order Chebyshev filter and out-band suppression capacitor are used to replace the traditional input matching network. The consumption of LNA is about 11.5 mW at 1.8 V DC power supply. In the 3 GHz-5 GHz UWB frequency band, the simulation results are showed in the forward gain about 13.9 dB, the input reflection coefficient S11, output reflection coefficient S22 are below -13 dB and -15 dB, respectively; the minimum noise figure only 0.997 dB; the third-order intercept point IIP3 averages at 5.40