Ri晶体管及其应用电路.PPT

2. 交流放大电路的静态分析与计算 对放大电路有了初步的认识后，就需要考虑静态工作点怎样设置，以及电路的放大倍数如何估算等问题，解决这一问题的方法称为放大电路的分析方法。对一个电路进行分析时，首先要进行静态分析，即分析未加输入信号时的工作状态，估算电路中各处的直流电压和直流电流-静态工作点。然后进行动态分析，即分析加上交流输入信号时的工作状态，估算放大电路的各项动态技术指标，如电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等。 放大电路的静态分析用于确定放大电路的静态值，即静态工作点Q：IBQ、ICQ、UCEQ。采用的分析方法是图解法、估算法，分析的对象是各极电压电流的直流分量，所用电路是放大电路的直流通路。静态是动态的基础，设置Q点是为了使放大电路的放大信号不失真，并且使放大电路工作在较佳的工作状态 。 （1）用图解法确定静态值 图解法就是用作图的方法确定静态值，这个方法能直观地分析和了解静态值的变化对放大电路的影响。 图解法确定静态值 图解法确定共发射极放大电路静态值 （2）用估算法确定静态值 由图6-20所示直流通路估算IBQ、ICQ、UCEQ。 由基尔霍夫电压定律得 一般情况下， 即 根据电流放大作用 由基尔霍夫电压定律得 （1）放大电路微变等效电路 3. 交流放大电路的动态分析与计算 ①电压放大倍数 式中RL=RC//RL。当RL=∞（开路）时 （2）动态参数计算 ②输入电阻 Ri ③输出电阻 对于负载而言，放大器的输出电阻Ro越小，负载电阻RL的变化对输出电压的影响就越小，表明放大器带负载能力越强，因此总希望Ro越小越好。上式中Ro在几千欧到几十千欧，一般认为是较大的，也不理想。 6.3.2 运算放大器应用电路 1．反相比例运算电路 虚断 虚地 平衡电阻 若 则 iF R1 Rf i1 uI R? + – + – + + – + uo u+ u- 第六章 晶体管及其应用电路 自然界中的物质按导电能力强弱的不同，可分为导体、绝缘体和半导体3大类。 半导体定义及分类 半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。常用的半导体材料有锗（Ge）、硅（Si）和砷（As）等。完全纯净的、不含杂质的半导体叫做本征半导体。如果在本征半导体中掺入其他元素，则称为杂质半导体。 本征半导体有两种导电的粒子，一种是带负电荷的自由电子，另一种是相当于带正电荷的粒子—空穴。自由电子和空穴在外电场的作用下都会定向移动而形成电流，所以人们把它们统称为载流子。在本征半导体中，每产生一个自由电子，必然会有一个空穴出现，自由电子和空穴成对出现，这种物理现象称为本征激发。由于常温下本征激发产生的自由电子和空穴的数目很少，所以本征半导体的导电性能比较差。但当温度升高或光照增强时，本征半导体内的自由电子运动加剧，载流子数目增多，导电性能提高，这就是半导体的热敏特性和光敏特性。在本征半导体中掺入微量元素后，导电性能会大幅提高，这就是半导体的掺杂特性。在本征半导体中掺入不同的微量元素，就会得到导电性质不同的半导体材料。根据半导体掺杂特性的不同，可制成两大类型的杂质半导体，即P型半导体和N型半导体。 N型半导体 在本征半导体硅（或锗）中掺入少量的五价元素，例如磷（P） P型半导体 在本征半导体中掺入少量的三价硼（B）元素 PN结是构成半导体二极管、三极管、场效应管、可控硅和半导体集成电路等多种半导体器件的基础。 PN结具单向导电特性。 P型和N型半导体结合面两侧同类型的载流子存在浓度差 ，N型区的多子自由电子向P型区扩散，并与P型区的空穴复合如图 ，这样N型区由于失去电子而出现带正电的杂质层，P型区由于得到电子而出现带负电的杂质层，因此在交界面两侧形成一个带异性电荷的薄层，称为空间电荷区，即PN结。 PN结形成 6.1 二极管及其应用 6.1.1 二极管的单向导电性 在PN结两端分别引出一个电极，外加管壳即构成晶体二极管，又称为半导体二极管。 1．半导体二极管的结构 按照内部结构的不同，半导体二极管可分为点接触型二极管和面接触型二极管两类。 点接触型