热中子引起的径迹20ns内入射50000个粒子-Indico.PPT

基于MOGD技术的快中子探测模拟研究 张毅 MPGD起源于对于带电粒子的径迹测量 高计数率、高位置分辨、耐辐射 其他领域的推广 对于中子的测量 穿透性强 核能源方面：核燃料增殖与嬗变、乏燃料处理 核安全方面：敏感核材料的无损检测 工作背景 工作基础 D-D、D-T 快中子发生器 基于Micromegas的快中子成像 1700路，After芯片 APV芯片及后端电子学 利用MPGD测量中子诱发裂变 探测器转换介质的选取 p、3He、10B、6Li、238U 传统方法所面临的问题 测量中子：诱发中子、裂变中子的分辨 测量γ：高γ本底下的 γ 鉴别 测量裂变碎片：自吸收问题 我们组新的测量方案 入射中子必须是热中子 100keV 裂变中子为快中子 ~1MeV n-p弹性散射产生的质子必然是前冲的，因此只有裂变中子才能在探测器中产生质子径迹 锕系核素的中子诱发裂变的激发曲线 裂变中子能谱 软件模拟过程 Garfield 的计算 产生中子 带电粒子在漂移区的电离 电子在气体中的输运 扩散系数 漂移速度 倍增系数 能量损失 平均脱出功 原电离电子数 产生离子 中子与探测器的相互作用 原电离电子 探测器的响应 电子的输运函数 Geant4 的计算 伴随快中子产生的 γ 射线能谱 关键的模拟参数 材料 PCB板：FR-4(Si、C、H、Br、O) 1.5mm 工作气体： Ar(75%)+CO2(25%) 漂移区2cm mesh: 不锈钢 100um厚 40%几何透过率 聚乙烯膜： 300um厚 热中子能量 30keV～70keV 快中子能量 0.8～3.3MeV 热中子引起的径迹 —— 粒子种类 快中子引起的径迹 —— 粒子种类 热中子引起的径迹 20ns内入射50000个粒子 热中子引起的径迹 在局部位置的单一径迹 快中子引起的径迹 20ns内入射50000个粒子 反冲质子的径迹重建 20ns内入射50000个粒子 未来的计划 径迹重建 直接调用Garfield++库实现粒子在漂移区的输运 电子俘获、阳离子效应、雪崩、空间电荷效应…… 调节探测器的各项参数 漂移区宽度、气体配比 FPGA实现径迹的初步重建 入射粒子的方向 优势：抗γ本底，穿透性强