带细缝屏蔽腔体耦合特性的仿真研究 simulation and research of the coupling characteristic of a cavity with thin-slot.pdfVIP

嘭艺勇闻2007年第26卷第5期 带细缝屏蔽腔体耦合特性的仿真研究 李永明1 耿力东1 俞集辉2 汪泉弟2 (1．重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室400030 2．重庆大学电气工程学院400030) 摘 要 带细缝屏蔽腔体耦合特性的分析对电子产品的设计、电子产品电磁兼容的预测具有 重要的理论价值和应用价值。应用三维FDTD建模计算带细缝屏蔽体在外部干扰源作用下，屏 蔽体内部的电场情况。当采用增强数值算法处理细缝时，计算的空间网格尺寸划分比腔体细缝尺 寸大，可以减少计算时间和计算机CPU与内存资源利用率，所以本文应用了FDTD中的增强数 值算法进行仿真研究，并得出结果进行分析。 ETSF 关键词 细缝 FDTD耦合电磁兼容 xl—y,一．巳日一一』I 百=一一V 1 引言 百aH：一上V 口‘ ∥ 卢 电磁屏蔽是指用良导体将干扰源或敏感体包围 彳aE：一j。V×日一』lE ot ￡ e 起来，以隔离被包围部分与外界相互作用。随着计 在直角坐标系下，用分量表示可以得出六个方 算电磁学的发展，应用于计算带细缝屏蔽腔体的数 程。利用中心差分形式，可以表示为对空间和时间 值算法也层出不穷，如计算无限大板状屏蔽体的 的偏导。从而实现了对空问和时间的离散，以便计 Schelkunoff平面波法…、矩量法心J(MoM)、时域 算机上的数值计算。 有限差分方法bj(FDTD)等。自从K．S．Yee于 由于研究有限空间，为了减少误差本文采用8 1966年提出FDTD方法基本原理，特别是完全匹 层单轴各向异性的PML吸收媒质作为吸收边界。 配层【41(PML)的提出和应用，更促使FDTD广 其验证图如图1所示，而本文中采用的都为高斯脉 泛应用于微波电路和电磁散射问题。但是应用在带 冲源，其式如下 有狭缝的结构体时，计算的空间网格被划分与狭缝 尺寸相匹配，这样对计算机内存和CPU都有很高 P(t)：10圳exp【一(罕)z】 的要求。针对此问题，国外的科技学者提出了几种 沿=方向极化在水平距离源点lOcm处的彳方 有效的处理方法，例如容性处理方法[5]、均衡处 向电场图，如图1所示。 理方法№J、混合处理方法[7,83、正角投影法等。而 均衡处理方法假想一个恒定的电场穿过狭缝，这样 做很容易理解，但是精度不高；容性方法设想包含 1}-一一i一一_{一一÷一一 ．!．． 狭缝外侧面的场强远比狭缝周边的场强小，以致可 -y一一j一一_{一一{-一一 I一一L一一