氮化工艺对gan缓冲层生长的影响 influence of nitriding technology on growth of gan buffer.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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氮化工艺对gan缓冲层生长的影响 influence of nitriding technology on growth of gan buffer

SEMICONDuCTOR OPTOELECTRONICS Vol.27 No.2 A r.2006 材料、结构及工艺氮化工艺对GaN 缓冲层生长的影响孙万峰!顾彪!徐茵!秦福文!马世猛大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室#辽宁大连 116024$ 摘要! 以氮等离子体为氮源!以三乙基镓 #为镓源!在蓝宝石 #衬底上生长 TEG Al O 2 3 GaN 缓冲层$主要考察了氮化温度和氮气流量对缓冲层生长的影响$实验中采用了氢氮混合等离子体清洗的方法!提高了清洗的质量$用射线衍射来表征晶体的结构!用原子力显微镜来表 X 征表面形貌$通过对高能电子衍射仪获得的缓冲层与氮化层的衍射图样进行比较!对 GaN 的氮化实验参数进行了优化$ 关键词! GaN 氮化缓冲层 ECR-PEMOCVD 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! TN312. 8 A 1001-5868 2006 02-0170-04 Influence of Nitridin Technolo on Growth of GaN Buffer g gy SUN Wan-feng GU Biao XU Yin @1N Fu-Wen MA Shi-meng State Ke Laborator of Material Modification b Laser Ion and Electron Beamsy y y Dalian universit of Technolo Dalian 116024 CHN y gy Abstract GaN buffer la ers have been de osited on sa