78P153的.doc

78P153S资料 1、一般描述 EM78P153S是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1024*13-bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有15位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出 由于有OTP-ROM，EM78P153S提供给用户一个方便的开发和检验他们的程序的环境。而且，程序代码可用ELAN编程器写入芯片。 2、特征 ?? 14个引线封装：EM78P153S 、工作电压范围：2.3V~5.5V 、适用温度范围：0 ℃~70℃ ?? 工作频率范围（基于2个Clock）： 晶振模式：DC-20MHZ at 5V,DC-8MHZ at 3V,DC-4MHZ at 2.3V ERC模式：DC-4MHZ at 5V,DC-4MHZ at 3V,DC-4MHZ at 2.3V ?? 低功耗： * 在5V/4MHz时低于1.5mA 、* 在3V/32KHz时为15uA、 * 在休眠模式时为1uA ?? 1024x13位片内ROM 、?? 内置4个校准IRC振荡器(8MHZ,4MHZ,1MHZZ,455KHZ) ?? 振荡器起振时间预分频系数可编程 、 一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出 ?? 一个结构寄存器满足用户要求 、32x8bits片内寄存器组（SRAM，一般寄存器） ?? 2组双向I/O端口 、 5级用于子程序嵌套的堆栈 ?? 8位实时计时/计数器（TCC），其信号源、触发边沿可编程选择，溢出时产生中断 ?? 节能模式（SLEEP模式） ?? 三种可用的中断 ： * TCC溢出中断 * 输入引脚变化中断（从休眠模式唤醒） * 外部中断 ?? 可编程自由运行看门狗定时器（WDT） 、7个可编程上拉I/O引脚 ?? 7个可编程漏极开路 I/O引脚 、 6个可编程下拉I/O引脚 ?? 每个指令周期为两个时钟周期：99.9%的指令为单周期指令 ?? 封装类型：14脚SOP、DIP ，14管脚DIP 300mil：EM78P153SP、 14管脚SOP 150mil：EM78P153SN ?? 系统高低频率的变化点是400KHZ 3、管脚分配 管脚说明： 4.1 操作寄存器 1、R0（间接地址寄存器） ???R0并非实际存在的寄存器。它的主要功能是作为间接寻址指针。任何以R0作为指针的指令实际上是对R4指定的RAM寄存器进行操作 2、R1（计时/计数器） ???由TCC引脚上的信号边沿或指令周期触发产生加1操作（CONT-4TE位定义） ???和其他寄存器一样可读可写 、???靠清PAB（CONT-3）定义 ???如果清零PAB位（CONT-3），预分频器分配给TCC ?? 当TCC寄存器被写入一个值时，预分频器的值会被清0 3、R2（编程计数器）与堆栈 ???R2和硬件堆栈有10位元宽。图3描述了其结构 ???产生1024x13bits片内OTP ROM地址以获取对应程式指令代码。每个程序页为1024字长 ???复位后R2的所有位均清“0” ???“JMP”指令直接装载R2低10位。因此，“JMP”指令跳转范围为一个程序页面内 ???“CALL” 指令加载PC的低10位，然后PC+1进入堆栈。因此，子程序的入口地址限在同一程序页面内 ???“RET”（“RETL K”，“RETI”）指令将栈顶数据装入PC ???“ADD R2,A”允许“A”的值加到当前PC，但同时PC的第9、10比特位被清0 ???“MOV R2,A”允许将寄存器“A”的值装入PC的低8位，但同时PC的第9、10比特位被清0 ???任何对R2的内容进行直接修改的指令（如：“ADD R2,A”，“MOV R2,A”，“BC R2,6”....）都将引起PC的第9、10比特位（A8、A9）被清0。因此，产生的跳转限于同一页面的前256个地址 ???改变R2内容的指令需要2个指令周期，除此之外，所有的指令均只需1个指令周期 4、R3（状态寄存器） Bit0（C） 进位标志位 、Bit1（DC） 辅助进位标志 、Bit2（Z） 零标志位 算术或逻辑操作结果为零时置为“1”、Bit3（P） 低功耗位 在上电或执行指令 “WDTC”时置为1，执行指令“SLEP”时置为0 Bit4（T） 时间溢出位 ，执行指令“SLEP”和“WDTC”或上电时置“1”，WDT时间溢出时置0 Bit5~6（GP0~1） 通用读/写位。 Bit7（RST） 复位类型位，若是由引脚变化从休眠状态唤醒，该位置1 其余复位类型该位清0 5、R4（RAM 选择寄存器） ???Bit0~5在间接寻址方式中用于选择RAM寄存器（地址