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9二极管和晶体管的
第 9 章 半导体二极管和三极管;半导体的导电特性:;9.1.1 本征半导体; Si;本征半导体的导电机理;9.1.2 N型半导体和 P 型半导体;9.1.2 N型半导体和 P 型半导体; 1. 在杂质半导体中多子的数量与
(a. 掺杂浓度、b.温度)有关。;9.1.3 PN结及其单向导电性;9.1.3 PN结的单向导电性;2. PN 结加反向电压(反向偏置);PN 结变宽;9.2 半导体二极管;9.2.2 伏安特性;9.2.3 主要参数;二极管的单向导电性; 二极管电路分析举例 ; 例 1: 在图中,输入电位 VA = + 3 V, VB = 0 V, 电阻 R 接负电源 –12 V。求输出端电位 VY。;电路如图,求:UAB;9.3 稳压二极管;3. 主要参数; [例 1] 图中通过稳压管的电流 IZ 等于多少?R 是限流电阻,其值是否合适?;9.4 半导体三极管;;集电区;9.4.2 电流分配和放大原理;IB/mA;9.4.3 特性曲线;2. 输出特性曲线;饱和区; 当晶体管饱和时, UCE ? 0,发射极与集电极之???如同一个开关的接通,其间电阻很小;当晶体管截止时,IC ? 0 ,发射极与集电极之间如同一个开关的断开,其间电阻很大,可见,晶体管除了有放大作用外,还有开关作用。;
管 型; 当晶体管工作在动态(有输入信号)时,基极电流的变化量为 ?IB ,它引起集电极电流的变化量为 ?IC 。 ?IC 与 ?IB的比值称为动态电流(交流)放大系数 ; 5. 集—射反相击穿电压 U(BR)CEO;9. 5 光电器件;9.5.2 光电二极管;9.5.3 光电晶体管
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