反应离子腐蚀及其在vlsi失效分析中的应用 rie and the application in the vlsi failure analysis field.pdfVIP

反应离子腐蚀及其在VLSI失效分析中的应用 林晓玲，费庆宇，章晓文，施明哲 (信息产业部电子第五研究所，广东 广州 510610) 摘 要：介绍了多层金属化结构VLsI芯片的解剖技术——反应离子腐蚀去钝化层法，包括其原理、与其它芯 片解剖技术的比较以及各种工艺参数对该技术的影响，并列举了几个实用例子。反应离子腐蚀法实现了芯片表 面和内部结构的可观察性和可探测性，降低了失效分析时样品制备的风险，是V坞I失效分析过程的重要步骤。 关键词：超大规模集成电路；失效分析；多层金属化；反应离子腐蚀；钝化层 中图分类号：TN47．06文献标识码：A RIEandthe intheVLSIFailure Field Application Analysis LIN Xiao—wen，SHI Xiao—ling，FEIQing—yu，ZHANG Ming—zhe