飞思卡尔扩展mram产品系列引领非易失性存储器的未来 freescale expands award-winning mram product family.pdfVIP

镌》 飞思卡尔半导体 飞思卡尔扩展MRAM产品系列 引领j}易失性存储器的未来 周 鑫 (飞思卡尔半导体中国有限公司上海分公司，上海201203) Random 经常有人将磁阻lnM(MRAM，Ma鼬etoresistive程，穿透绝缘隔离层。当自由层的磁矩与固定层平行时， Access MTJ结构具有低电阻；而当自由层的磁矩方向与同定层 Memory)称作是非易失性存储器(nvRAM，Non—Vol“le RAM】的关键性技术。作为一项非易失性存储器技术， MRAM可以在掉电时保留数据，并目不需要定期刷新。状态的改变，电阻也会变化，这种现象就称为磁阻，“磁 MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提阻”RAM也因此得名。 t!{：了sRAM的高速度和闪存的非易失性，它的寿命几乎 与大部分其他半导体存储器技术不同，MRAM中的 是没有限制的。MRAM器件可必用于高速缓冲器、配置数据以一种磁性状态f而不是电荷1存储，并且通过测量 内存和其它要求高速、耐用和非易失性的商业应用。 电Ji|=【来感应，不会干扰磁性状态。采用磁性状态存储 作为第一家将MRAM技术商业化的公司，飞崽卡尔有两个主要优点：(1)磁场极性不像电荷那样会随着时 通过不断推出经济高效而且可靠的非易失性存储器来 问而泄漏，闲此即使在断电的情况下，也能保持信息； 长期引导市场发展。飞思卡尔2006年推出的MR2A16A(2)在两种状态之问转换磁场极性时，不会发牛电子和 4Mbit产品是全球第一款商用MRAM器件，工作于商用原子的实际移动，这样也就不会有所谓的失效机制。，在 级渝度范围(O℃～+70℃)。 MRAM中使用的磁阻结构非常类似于在硬盘中使用的 不久前，飞思卡尔半导体又成功推出全球第一款 读取方式。 3v4Mbit的扩展温度范围(一40℃叶105℃)的非易失性如图1所示，MRAM单元有两条写人线，还有读取 RAM(nvRAM)产品MR2A16AV，从而扩展了其获奖磁电电流的路径。晶体管导通用于榆测(读取1，截止用于编 阻式随机存储器(MRAM)的产品系列。飞思异尔提供了 新的扩展温度范围选择，使MRAM可用于恶劣的应用一个阵列中，每个写入线横跨数百或数千十位，另有用 环境，如工业、军事、航空和汽车应用设汁等。在这类应 于进行交叉点写入的数据线和位线，以及字线控制的隔 用巾，半导体产品必须能够忍受恶劣的丁作环境和极端 离晶体管，如图2所水。在写入操作中，电流脉冲通过数 的温度范围。 据线和位线，只写入处在两线交叉点上的位。在读取操 飞思R尔还推出了一种1Mbit器件MROAl6A，扩展作中，日标位的绝缘晶体管被打开，MTJ卜施加偏压后， 了商用MRAM产品系列。该器件可为系统设计师提供将产生的电流与参考值进行比较．以确定电阻状态是低 另 种密度选择，它针对主流嵌入式产品市场上的“最 还是高。 佳点(sweetspot)”。此外，飞思卡尔还计划进一步扩展 其MRAM产品系列，在2007年第三季度将增加九种商 用和工业用扩展温度产品。 MRAM技术介绍 MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓 “非易失性”是指掉电后，仍可以保持存储内容完整，此 功能与FT|AsH闪存相同。而“随机存取”足指处理器读 取资料时，不一定要从头开始，随时可用相同的速率，从 内存的任何位置读写信息。MRAM中的存储单元采用磁 隧道结(M’rJ)结构进行数据存储。MTJ由固定磁层、薄绝 缘隧道隔离层和自由磁层组成。当向MTJ施加偏压时， 被磁层极化的电子会通过一个称为穿遂(Tunneling)的过 图1 1个晶体管，1个MTJ存储器单兀的图解 《电子技术应用》2007年第9期