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TFT-Array工艺
TFT－Array工艺 技术概要;一、 TFT的基本构造
二、 ARRAY工艺介绍
三、 4Mask与5Mask工艺对比
四、 Array现场气液安全;3;4;5;6;7;8;二、ARRAY工艺介绍;10;11;溅射( Sputter )是指利用电场加速的气体离子对靶材的轰击，使成膜材料从靶材转移到基板的物理成膜方法。
Sputter在工艺流程中的位置;2-2、Sputter;整体图 （SMD-1200）
基板搬入（加热）/搬出（冷却）室（L1、L2）
搬送室(Tr)
成膜室（X1、X3） ;膜 层;16;4-1、PR/曝光;18;19;20;湿刻的目的
湿刻是通过对象材料（一般为金属导电膜）与刻蚀液之间的化学反应，对对象材料进行刻蚀的过程。
在TFT-LCD工艺中，主要是对Gate层（Mo/Al）、Drain层（Cr）及像素层（ITO）进行刻蚀。 ;5-2、湿刻设备概要;23;
反应气体在高频电场作用下发生等离子体（Plasma）放电。
等离子体与基板发生作用将没有被光刻胶掩蔽的薄膜刻蚀掉。;25;1.剥离简介：刻蚀（干刻、湿刻）完
成后除去光刻胶的过程。
;3 .各部分作用
;28;项目;10、ARRAY工艺介绍—4Mask工艺PR后像素照片;31;PR/曝光——使待刻蚀膜层上的光刻胶形成掩模图形的过程;33;34;35;36;37;
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