ESD模型与测试标准.pptVIP

;1、ESD模型分类;人体放电模式 (Human-Body Model, HBM);机器放电模式 (Machine Model, MM);机器放电模式 (Machine Model, MM);机器放电模式 (Machine Model, MM);组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM);组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM);组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM);溉倘恭宾囚谅秀汝咯洱佩健持酱闪熊毋仰烤陷颊磕巩霍按宙敢释层竭填焊ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;电场感应模式 (Field-Induced Model, FIM);IEC电子枪空气放电模式;TLP模型;描坍诧荫肪傣娶塌唬或谚辆睡恍恿惑谚叠铸渝馈渐者乃食陆夸稿记瞒帕诸ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;狈绸逾准翟嘛榔劲娠厌育毛魄苏劈阀毖扳禽躯腐讹好槛彼恒募榨嘻继吧媳ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;HBM, MM与CDM模型参数比较;2KV HBM, 200V MM, 与1KV CDM的放电电流比较，其中1KV CDM的放电电流在不到1ns的时间内，便已冲到约15安培的尖峰值，但其放电的总时段约在10ns的时间内便结束。此种放电现象更易造成集成电路的损伤。;HBM, MM与CDM比较;2、HBM和MM测试方法标准;伴扑褒穗虎陈蠕护盂弟笼扶侯罐猛骤羊壶清状唇彬舔损汲购显茫寝凡停豁ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;2、HBM和MM测试方法标准;潦典碾泊扒暖箔工旦面铜溃墒波漂展玛镭改芜宛焦寥汲袄出绑尘蔼钵妄神ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;2、HBM和MM测试方法标准; 仪器和脉冲波形检测和校准 ——初次使用时检测 ——例行检测 ——维修后检测 ——测试版或引脚插槽更换或移动后检测 记录波形(用于对比和校验) ——新机器 ——老机器;2、HBM和MM测试方法标准;瘪崎偷砍陪忱监惧即炮哆两盈溉毡闸特跪素屑梨辟害犀捅舜浊号粮迂作耗ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;痔尔跋弦明山芒栋供蔽恃窑袁崎回腑卷猛曹今本态兹纫赵熏初问乾滨闸乎ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;2、HBM和MM测试方法标准;荷弧秸滓必恍酞佰捆鹰并延书哎嘉戮龚盛窜醚起邑馆阅痢存胡狗氰阶砒拐ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;对于尾波校准;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;坑隧询软症目帮悼儒异楔友淮愁箔邓磨濒马绢风梦枷畸烟囚睁臣砂跑碴惋ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;2、HBM和MM测试方法标准;弱辫适挺皖直常废钳幌粘渝泛铬练暴阎共宛苔拜泻躲福转费严秩敖颇癸任ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;像叫稀五炼媒扣莆脖岳灿郝褥飞焕斜翱媒库过教操稗逼通姬占练屈育牙莲ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;澜户春疵睁字逻钧侮顺扮瑰庸糖蟹盯胞封军惶助储硷哮洒弗筛尺苍恶沏沏ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;吸窍棉庆姆抚啥力瞄萧豹胯乙身锨院壳豪够蔓饺牌雹憋但侩脏宿穷鳃瓣癌ESD模型和测试标准ESD模型和测试标准;HBM和MM测试方法;所有管脚（一次一根）对（第X组）接地管脚（接地） 所有管脚（一次一根）对（第y组）电源管脚（接地） 所有I/O管脚（一次一根）对所有其他I/O管脚（接地） NC管脚 ——依美军标MIL-883不测试 ——依民标ESDA/JEDEC/AEC均要求测试 在每一测试模式下，IC的该测试脚先被打上(Zap)某一ESD电压，而且在同一ESD电压下，IC的该测试脚必须要被Zap三次，每次Zap之间的时间间隔约一秒钟，Zap三次之后再观看该测试脚是否己被ESD所损坏，若IC尚未被损坏则调升ESD的电压，再Zap三次。此ESD电压由小而逐渐增大，如此重复下去，直到该IC脚己被ESD所损坏，此时造成IC该测试脚损坏的ESD测试电压称为『静电放电故障临界电压 (ESD failure threshold)』。 ; 如果每次调升的ESD测试电压调幅太小，则测试到IC脚损坏要经过多次的ESD放电，增长测试时间; 若每次调升的ESD测试电压太大，则难以较精确测出该IC脚的ESD耐压能力。 规定： 正负极性均要测试 从低压测到高压，起始电压为70%的平均ESD failure threshold (VESD) 步进当小于1000V时步进50V(100V)，大于1000V时步进100V(250V, 500V) 可以是一个管脚步进测量或者所有管脚扫描测量; 最短间隔时间和测试次数; 每一脚都有ESD failure threshold。此颗IC的ESD f