高k材料用作纳米级mos晶体管栅介质薄层(下) high-k replacement of ultrathin gate dielectrics for nanoscale mos transistors (ⅱ).pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高k材料用作纳米级mos晶体管栅介质薄层(下) high-k replacement of ultrathin gate dielectrics for nanoscale mos transistors (ⅱ).pdf

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高k材料用作纳米级mos晶体管栅介质薄层(下) high-k replacement of ultrathin gate dielectrics for nanoscale mos transistors (ⅱ)

高足材料用作纳米级MOS晶体管栅介质薄层(下) 翁妍，汪辉 (上海交通大学微电子学院，上海200030) nm及32 摘要：随着45 栅介质薄层材料的较好选择，但是大多数高尼材料是离子金属氧化物，其基本物理性能和材料特性不仅导致了很多不可靠因素，还会造成电学性能的损失。简述了高尼材料的一些电学性能以及频率变化的电荷泵技术在高后栅介质薄层探测到的缺陷深度，总结了高南材料的基本限制及主要问题，并且介绍了未来技术节点的可能解决方案。关键词：栅介质薄层；高介电常数；电学结果中图分类号：删；7TN386．1文献标识码：A 文章编号：10∞．353x(2008)0良0093．晒 ofUltratllinGateDielectricsfor High一露Replac哪ent NanoscaleMOS TraI峪istors(Ⅱ) Hui WengYan，Wang (Sc硒oZ矿肘如roe跆c∞n扔，矶nn咖i．，＆∞％ng№觇巧妙，‰嘶缸200030，吼iw) withthe nm Abst阳ct： of45 aIld32nm couldbe technology，higll-蠡rnaterials coIning good出tematives of dielectric．But ofthe most aI_eionicmetaloxides．Thefundamentaland Si02gate high一后mateIials physies causeseve商undesir如k aswellas出e ofe王ectrical mat矗出propenies reliabilitypmblems degradation betweensoIneelectrical sucha8 and characteIistics， current， pedb瑚ance，Therelationships leak硼re 啪bility its andIna土erial aI_ediscussed．Thedetectionofthedefectsin dielectrics physics pIDperties high-而 by i8 introduced．Themaindr孙小acksandfundamental fkquencydependentcha曙epumpingtechnology liIIlitationsof dielectricarereViewedandthe solutionsarelisted． h砂一座gate possible dielectric electIicalresult film； KeywDrds