高al组分n-algan的tialtiau欧姆接触 study on tialtiau ohmic contact to high al-content n-algan.pdfVIP

SEM ICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vo1．33No．2 Apr ． 2012 高Al组分 n—AIGaN的Ti／AI／Ti／Au欧姆接触 周 勋，罗木 昌，赵文伯，黄烈云 (重庆 光电技术研 究所 。重庆 400060) 摘 要： 采用Ti／A1／Ti／Au多层金属 电极对高Al组分 n_AlGa一N(z一0．6)欧姆接触的 制备进行 了研究，通过优化 Ti接触层厚度 以及合金退火条件 ，获得 了较低的比接触 电阻率 (5．67× 1O Q ·cm)。研究证实，Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响，同时发现，高低温两步退 火方式之所以能够改善欧姆接触特性的本质是与Al。Ti及 TiN各 自的生成条件直接相关，即低温 利于生成Al。Ti，高温利于生成 TiN，而这对 n型欧姆接触的有效形成至关重要 。 关键词： 高Al组分 n—A1GaN；Ti／Al／Ti／Au；接触层厚度；两步退火 ；欧姆接触 中图分类号：TN305 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—5868(2O12)O2—0230—05 StudyonTi／AI／Ti／AuOhmicContacttoHighAl-contentn-AIGaN ZHOU Xun，LUO M uchang，ZHAO W enbo，HUANG Lieyun (ChongqingOptoelectronicsResearchInstitute，Chongqing400060，CHN) Abstract： Inthiswork，theohmiccontactsofTi／Al／Ti／AumultilayerelectrodetohighA1一 contentSi—dopedn-A1Ga1一N (x一60 )werestudied．ByoptimizingthethicknessofTicontact— layerandtheannealingconditions，low specificcontactresistivityof(5．67×1O一 Q ·cm )was achieved．ItisrevealedthethicknessofTicontact—layerhasgreateffectonthecharacteristicof ohmiccontact，meanwhiletheessentialreasonforachievinglow resistanceohmiccontactbytwo— step annealing method is that low temperature favors the formation of A13Ti， and high temperaturefavorsthe formation ofTiN 。which isthekey factor in forming n-type ohmic contact． Keywords： highA1contentn-A1GaN；Ti／A1／Ti／Au；contact-layerthickness；two—step annealing；Ohmiccontact 0 引言 递增致使 Si施主的离化能升高、迁移率 降低 ，造成 高Al组分 n—A1GaN的电导性相对较差。2)电子亲 低阻欧姆接触的获得对于高性能 (A1)GaN氮 和能小导致金一半界面处的肖特基势垒较高 ，欧姆接 化物器件的研制至关重要。目前 ，对 n-GaN 以及低 触特性较差 ，要求金属电极结构及合金退火条件均 Al组分 n—AlGa N(0