高压直流输电换流系统屏蔽罩寄生电容的数值计算方法 numerical method for parasitic capacitance of shield in hvdc converter stations.pdfVIP

高电压技术第36卷第12期2010年12月31日 2970 HighVoltage 31，2010 Engineering，V01．36。No．12．December 高压直流输电换流系统屏蔽罩寄生电容的数值计算方法 刘士利，王泽忠，孙静 (华北电力大学高电压与电磁兼容北京市重点实验室，北京102206) 摘要：目前HVDC技术国产化过程中需要掌握的关键技术之一，是建立换流系统的宽频等效电路模型，分析阀 塔过电压瞬态过程，而屏蔽罩寄生电容是宽频模型至关重要的参数．直接影响模型的正确性。为此，提出了一种基 于间接边界元法的数值计算方法来计算屏蔽罩的寄生电容参数。在这种方法中，只需对导体表面进行剖分，无需离 散整个场域。在求得导体表面法向电场强度后。即可得到导体系统的电容矩阵。针对国内某士500kV直流换流站， 应用该方法提取r屏蔽罩寄生电容．通过对比计算．研究了不同阀层屏蔽罩对电容参数的影响．确定了计算实际屏 蔽罩寄生电容的仿真模型。为换流阀塔等大尺寸复杂金属结构的电容参数计算提供了一种便捷、可行的方法。 关键词：寄生电容；屏蔽罩；边界元法；提取；模型；复杂结构 中图分类号：TMl51．3 文献标志码：A 文章编号：1003—6520(2010)12—2970-06 NumericalMethodforParasitic ofShieldinHVDCConverterStations Capacitance LIU Shi—li，WANG Ze-zhong，SUNJing of (BeijingKeyLaboratoryHigh VoltageElectromagneticCompatibility． NorthChinaElectricPower 102206，China) University，Beijing is tOestablishawide-bandcircuitmodeltO thetransient of Abstract：Itnecessary study processovervoltageduring thelocalizationofHVDC ismostessentialfor the technology．Theparasiticcapacitance modelingequivalentcircuit。 SOafastandaccurateextractionof an role．Anumericalmethodfor capacitanceparametersplaysimportant parasitic basedon method tO element was oneconvertersubstation capacitanceparametersboundary putforward．According in methodwas tOcalculatethe effectofshieldindifferenton China，this applied capacitances．The layer