ingan_gan岛形量子阱样品透射电镜制样与表征方pdf.pdfVIP

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2017-08-16 发布于天津
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ingan_gan岛形量子阱样品透射电镜制样与表征方pdf

33 6 电子显微学报 Vol. 33 ，No. 6 第卷第期 2014 12 2014-12 年月 Journal of Chinese Electron Microscopy Society 文章编号:1000-6281 (2014)06-0570-06 InGaN /GaN 岛形量子阱样品透射电镜制样与表征方法杨晓东 ( ，门361005) 厦门大学纳米科技中心福建厦 : ，，摘要本文研究了氮化物半导体三维岛形结构的透射电镜制样技术减小了样品在制样过程中的结构损伤并 InGaN /GaN 、。 GaN ，对量子阱进行了结构成分和发光特性的表征通过对三维小岛非极性小面微观结构的分析确， InGaN /GaN 。定了侧壁小面皆为半极性面说明小面生长的量子阱受到较小的极化效应影响该岛形量子阱的结构，，，。特征有效地增强了量子阱的发光效率同时由于不同小面的存在实现了同一小岛的多波长白光发射 : ; ; ; ; 关键词透射电镜样品制备微观结构量子阱白光发射 :O766 + . 1 ;TN304 ;TG115. 21 + 5. 3 10. 3969 /j． 1000-6281. 2014. 06. 015 中图分类号文献标识码:A doi : ［2 ～ 5］ III 族氮化物半导体材料是目前制作光电器件的白炽光和荧光技术。但以InGaN 为基础的照，。 InGaN 的主流材料以紫光至蓝光波段的应用最为广泛明应用其限制之一是基础上的绿色发光二 GaN ，、［6 ～ 8］。 InGaN 作为直接能隙半导体材料常用于高亮度绿极管内部量子效率的明显下降随着中、，蓝紫等发光材料是制作高亮度绿光和蓝光器件最 In ，含量的提高合金现象和表面凹坑相关的穿线位成功的材料之一［1］。由于大块的单晶GaN 生长仍 / ， InGaN / 错堆垛层错的形成将变得剧烈导致绿色无， GaN GaN 。，法实现大部分基电子器件都在异质外延多量子阱低劣的