半导体激光器光热光强调制的频率与相位特性.pdfVIP

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2017-08-16 发布于天津
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半导体激光器光热光强调制的频率与相位特性

30 3 Vol. 30 No. 3 20013 ACTA PHOTONICA SINICAMarch 2001 卢洪斌　王向朝　王学锋　钱　锋　陈高庭　方祖捷 ( 201800) 本文在半导体激光器结温变化主要限制层光热转化引起的情况下,通过求解热传导方程和速率方程得到半导体激光器光热光强调制的频率特性和相位特性. 分析表明理论同实验结果相一致 . 光热效应;半导体激光器;干涉仪 0 , , ,LD . . LD , (LD), , , . . , , , .Kli cak . C M LD , 1 . - He Ne LD , ,, . LD . LD 1, 3 . 1 , . 1LD. Tada asa Suzuki , , 4 . , . , 1 LD . Fig. 1Light bea incident on the LD * 国家自然科学基金、上海市应用材料研究与发展基金资助项目收稿日期:2000-06-13 34830 LD s 2 2 2 ( ( 0.32) / + n ( / )+ 0 LD d s dt R ds dt s 2 2 ) , = 0r ( ) ( - - + ) ( 7) s sin t , . - 1 - 1 Rn = (sp + ph )- ga (n0- ne- s0) ( 8) , 2 - 1 - 1 0= sp ph [ 1+ g 0 sp- ( 1- ) g 0 ph] as g .