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2017-08-13 发布于上海
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基于cmos工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器 a high gain cmos lna with low power consumption.pdf

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基于cmos工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器 a high gain cmos lna with low power consumption

第28卷第3期电气电子教学学报 V01．28No．3 2006年6月 0FEEE Jun2006 JoURNAL 基于CMoS工艺的一种低功耗高增益低噪声放大器李竹 (南京理工大学自动化学院，江苏南京210094) 摘要：采用o．18肚m 达到低功耗的目的。电路的输入端采用源极电感负反馈实现50欧姆阻抗匹配。同时两级共源电路之间通过串联谐振相级联。该LNA工作在5．2GHz，1．8V电源电压，能提供20dB的增益(S2l为20dB)，而噪声系数为1．9dB，输入匹配较好，S11为一32dB。关键词：cMos工艺；低噪声放大器；I￡谐振；阻抗匹配中图分类号：TN722．3；TN492 文献标识码：A A GainCMoSLNAwithLowPower High Cons哪ption LIZhu Scie丸ce娃竹d 210094，Chi徽) (【k{硷nme竹￡ofAMt07№tion，Nanji拧gU柱i乞孵rsity。f Tech竹o￡ogy，N＆住ji柠g Abstract：A5．2GHz LNAhasbeen ina0．1 CMOS LNAisa current highgain implanted8弘m process．The cascade a series resonance．The induc— sharingtwo_stageamplifieradopting inter—stage amplifieremploys The aforward 20dB tivesource to 50n match．． amplifierprovide gain(S21)of degenerationgenerateinput withanoise of1．9dB．The figure inputmatching(S11)is一32dB． noise K删rds：CMOStechn0109y；lowamplifier；【Cresonance；impedancematching 接收机的第一级有源电路一般为一个低噪声放 0 引言大器，它的主要功能是将来自天线的微弱小信号放随着Si工艺技术的持续发展，特征尺寸不断减大，提供足够的增益以克服后续各级(如混频器)的小，深亚微米CMOS工艺的MOSFET特征频率已噪声。在LNA的设计中我们通常要达到以下目经达到50GHz以上，采用CMOS工艺实现GHz频标：首先它必须提供足够高的增益。第二LNA自段的电路成为可能。CMOS工艺具有的低成本，高身附加的噪声必须尽可能少，也就是说必须有最小集成度的优势使其成为世界上应用最广泛的工艺。的噪声系数。第三，好的输人输出匹配也是非常关在射频电路设计中使用CMOS工艺的一个难题在键的，在高频情况下电路如果不能匹配在所需阻抗于它的低跨导性，这使得使用CMOS工艺很难获得上将会产生信号反射使电路不能正常工作。第四，高的增益，尤其是在低功耗和高频的情况下。还必须考虑电路的线性情况以及稳定性。