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/ 化学气相淀积与薄膜工艺 Chemical Vapor Deposition Thin Film Technology 孟广耀 Tel:3603234 Fax:3607627 mgym@ 中国科学技术大学材料科学与工程系 固体化学与无机膜研究所 http://3/ PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version 5 淀积过程动力学 v 5.1化学气相 积过程动力学概述 v 5.2淀积速率的实验研究 v 5.3实验参量对过程控制机制的作用 v 5.4气 固反应动力学和生长机理 v ●动力学分析的一般考虑 v ●气-固表面反应过程动力学模型 v 5.5实际体系举例 v 5.5.1的外延生长 v 5.5.2的淀积 2 PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version 5.1化学气相 积过程动力学概述－ 淀积过程动力学的基本任务 淀积过程动力学研究是化学气相 积过程研究的核心 课题。其基本任务是通过实验，研究淀积层的生长速 率、质量与淀积参数的关系，掌握其规律并确立过程 速率的控制机制，以便进一步调整实验条件，改进工 艺状况，从而获得表面质量 、晶体完善和厚度均匀 的生长层。 根据实验规律，从原子和分子尺度推断材料淀积的表 面过程，进而深化对过程机理的认识，做为进一步改 善工艺条件的依据。 本章以半导体单晶薄膜的气相外延为例，介绍淀积过程 动力学的基本概念和处理方法。 3 PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version 5.1 学气相淀积过程动力学概述 开管气流法化学CVD制备外延单晶的的过程模型描绘。 质量输运 主体气流 质量输运 AB AB+B 质量转移 质量转移 AB B 主气流 表面 表面 主气流 B B* AB* B* 离解 离解 A*