原创力文档抛光液各组分在sio_2介质cmp中的作用机理分析 analyzing on the fundamentals of slurry components in silicon dioxide dielectric cmp.pdfVIP
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抛光液各组分在sio_2介质cmp中的作用机理分析 analyzing on the fundamentals of slurry components in silicon dioxide dielectric cmp
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：
ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１００３０１４
抛光液各组分在 介质 中的作用机理分析
ＳｉＯ２ ＣＭＰ
梁蒲，檀柏梅，刘玉岭，张研，陈婷
（河北工业大学微电子技术与材料研究所，天津 ）
３００１３０
摘要：介绍了超大规模集成电路中 介质的化学机械抛光机理及抛光液在化学机械抛光
ＳｉＯ２
中扮演的重要角色通过单因素实验法在低压力的实验环境下着重分析了抛光液中表面活性
。 ， ，
剂 值调节剂纳米磨料等成分在 介质化学机械抛光中的具体作用及影响机理最终得
、ｐＨ 、 ＳｉＯ２ 。
出最优化的实验配比即当表面活性剂的浓度为 值为 硅溶胶与去离子水
， ， ， ，
３０ ｍｏｌ／ Ｌ ｐＨ １１３０
的体积比为 时，在保证较低表面粗糙度的同时得到了较高的抛光速率 。
２∶１ ４７６ ｎｍ／ ｍｉｎ
关键词：化学机械抛光； 介质；抛光液；抛光速率；表面粗糙度
ＳｉＯ２
中图分类号 文献标识码 文章编号
： ： ： （ ）
ＴＮ３０５２ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ０３０２５２０４
Ａｎａｌｙｚｉｎｇ ｏｎ ｔｈｅ Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ｏｆ Ｓｌｕｒｒｙ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ ｉｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ
Ｄｉｏｘｉｄｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ＣＭＰ
， ， ， ，
Ｌｉａｎｇ Ｐｕ Ｔａｎ Ｂａｉｍｅｉ Ｌｉｕ Ｙｕｌｉｎｇ Ｚｈａｎｇ Ｙａｎ Ｃｈｅｎ Ｔｉｎｇ
（ ， ， ， ）
Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＨｅＢｅｉ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｔｉａｎｊｉｎ ３００１３０ Ｃｈｉｎａ
： （ ）
Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｔｈｅ ｃｒｉｔｉｃａｌ ｒｏｌｅ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ＣＭＰ ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ｏｆ ＳｉＯ２
，
ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ａｎｄ ｔｈｅ ｓｌｕｒｒｙ ｅｆｆｅｃｔｓ ｗｅｒｅ ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ． Ｔｈｒｏｕｇｈ ｔｈｅ ｓｉｎｇｌｅ ｆａｃｔｏｒ ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔ ｉｎ ｌｏ
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