掺杂硅纳米梁谐振频率的理论模型及分子动力学模拟 马霞 王静.PDFVIP

掺杂硅纳米梁谐振频率的理论模型及分子动力学模拟 马霞 王静 Studyonresonancefrequencyofdopingsiliconnano-beambytheoreticalmodelandmoleculardynam- icssimulation MaXia WangJing 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,106103(2017) DOI: 10.7498/aps.66.106103 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.106103 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I10 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 掺杂单晶硅纳米薄膜杨氏模量的多尺度理论模型 Themulti-scaletheoreticalmodelsofYoungsmodulusofdoped monocrystalline silicon nano-film 物理学报.2015,64(23): 236103 /10.7498/aps.64.236103 Si基IV族异质结构发光器件的研究进展 RecentprogressinGeandGeSnlightemissiononSi 物理学报.2015,64(20): 206102 /10.7498/aps.64.206102 铒离子注入绝缘体上Si 的射程分布研究 InvestigationonrangedistributionofErionsimplantedin silicon-on-insulator 物理学报.2014,63(17): 176101 /10.7498/aps.63.176101 掺杂对多层Ge/Si(001)量子点光致发光的影响 EffectofdopingonthephotoluminescenceofmultilayerGequantumdotsdepositedonSi(001)substrate 物理学报.2013,62(7): 076108 /10.7498/aps.62.076108 量子阱Si/SiGe/Sip型场效应管阈值电压和沟道空穴面密度模型 Threshold-voltageandhole-sheet-densitymodelofquantumwell Si/SiGe/Si p field effecttransistor 物理学报.2012,61(16): 166101 /10.7498/aps.61.166101 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 10 (2017) 106103 掺杂硅纳米梁谐振频率的理论模型及 分子动力学模拟 马霞 王静 (新疆大学物理科学与技术学院, 乌鲁木齐 830046) ( 2016 年12 月23 日收到; 2017 年2 月28 日收到修改稿) 通过理论计算与模拟, 研究分析了P 元素替代掺杂单晶硅纳米梁的谐振频率. 计算模拟了两端固支单晶 硅纳米梁的谐振频率随尺寸、掺杂浓度与温度的变化. 通过对计算结果与模拟结果的分析得到: 单晶硅纳米 梁的谐振频率随着硅纳米梁长度尺寸的增大而减小; 硅纳米梁的谐振频率随着掺杂浓度的增大而增大, 但变 化趋势并不明显; 最后考虑了温度效应, 发现掺杂硅纳米梁的谐振频率随着温度的增大而减小, 但从谐振频率 的数值来看, 硅梁的谐振频率随温度的变化趋势并不明显, 即温度对硅梁谐振频率基本无影响. 由此得出结 论: 掺杂浓度与温度对硅纳米梁谐振频率的影响很小, 影响单晶硅纳米梁谐振频率的主要因素是尺寸大小, 掺杂单晶硅纳米梁的谐振频率具有尺寸效应. 关键词: 单晶硅纳米梁, 谐振频率, 掺杂, 温度 PACS: 61.72.uf, 62.25.–g, 81.40.Jj DOI: 10.7498/aps.66.106103 14