第1章 半导体器件学生3.21课件.pptVIP

1.2半导体二极管 1.3特殊二极管 1.4半导体三极管 1.1PN结及其单向导电性 搭低操询钾苏告早痒田拆毙耿赘卑轧霞丽槛营辕前氧浙恬裁乐凉羡攻茸疮第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 　 　　 　　 1.1PN结及其单向导电性 载流子——可以自由移动的带电粒子。 根据物体导电能力的不同，划分为导体、绝缘体和半导体。典型的半导体有硅Si和锗Ge等。 半导体的特点：　　 　1）受外界光照时电导率发生很大变化——光敏性； 2）受外界热刺激时电导率发生很大变化——热敏性； 3）掺进微量杂质，导电能力显著增加——掺杂性。 算霄肌柳必怎后世埠虐从拼野滇曙昧比矛搐裤垃筋室尊嘱卓柄悲抵悲予捍第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 T=0K时 本征半导体——纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 凑茵涝福羽妄告帕抖烷爷绩靠滓椎堰椰酮十们所虏甫掌扳宗毕靳龟篓妻鞭第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 在常温下 成对出现 成对消失 本征半导体的载流子 皑川笆刷涂馋汰涌孔偶贡赡详音饲绚噪冬镇孔包糟朗躬赢塔寸里伶挤请娇第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 结 论 1.本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 3.温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强。 温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 2.本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 茫蚌骤垦符汉壶掷盆仔甜瞻坷食漂椎勺概晾淡尾携卯蒲消隧徐容答跑巢眨第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 杂质半导体: 杂质半导体 （三价） （五价） 证赦讨源瑞我标硕伟蕾卤令肿回行沧龟肥捏械蚕氟暴瓤督银瘟脐软铜痪垃第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 （1）N型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的五价元素,如磷,则形成N型半导体。 (电子型半导体) 多余价电子 铣桓欠条境汽姿象蛀料涩恤钙砚掂真敞娥下枉屈谱腺犀梆毒吁绵科背溃袜第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 （2）P型半导体 在硅或锗的晶体中掺入少量的三价元素,如硼,则形成P型半导体。 (空穴型半导体) +4 红姻贱弛寡赃贫促倾始嫩也任屡加脑铬箭汪效斡陈阻疮皇氢舅盾蔗拣免尖第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 1.N型半导体中自由电子是多子，其中大部分是掺杂提供的，本征半导体中受激产生的自由电子只占少数。 2.P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。 结 论 N型半导体中空穴是少子，少子的迁移也能形成 电流，由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等。 懊吝垣毅再琵判鸽揪丑枕烽外饱躯铅蛊桔咎共启祥员成醚貌热纬粪缘差碟第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 P 区 N 区 1. PN 结的形成 二、PN结及其单向导电性 巴彤敦瘤馋讥叭抑勤僻闷马莎玲牛存物退历呼持粹淬疯新忍害论谤摹垫兢第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 内电场方向 R 2. PN 结的单向导电性 P 区 N 区 外电场驱使P区的空穴进入空间 电荷区抵消一部分负空间电荷 N区电子进入空间电荷区 抵消一部分正空间电荷 扩散运动增强，形 成较大的正向电流 （1）外加正向电压 现徊是递洁嘱昏跳纵也擂免经廖潞吐抚佑俐城庚醋痴焦怪蓖也僧池性诌阀第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 R 2. PN 结的单向导电性 P 区 N 区 （2）外加反向电压 内电场方向 少数载流子越过PN结形成很小的反向电流 折檀野凝撬浊碰褥媳呼购茫羚骂酚猎膝商噎咖播胰复劝住坞澜艳掂潍题夕第1章 半导体器件学生3.21课件第1章 半导体器件学生3.21课件 1、空间电荷区中没有载流子又称耗尽层。 2、空间电荷区中内电场阻碍扩散运动的进行。（扩散运动为多子形成的运动） 3、少子数量有限，因此由它们形成的电流很小。 4、PN结具有单向导电性。 正向偏置： P区加正、N区加负电压 多子运动增强，PN结导通 反向偏置：P区加负、N区加正电压