薄膜物理2-1.ppt

化学气相沉积 化学气相沉积（ Chemical Vapor Deposition , CVD ）技术是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应过程生成固态薄膜的技术。 利用这种方法可以制备固体电子器件所需的各种薄膜、轴承和工具的耐磨涂层、发动机或核反应堆部件的高温防护层等。 化学气相沉积技术可以有效地控制薄膜的化学组分，与其他相关工艺（如半导体工艺）具有较好的相容性等。 两种制膜方法也有交叉，比如反应共蒸发、反应共溅射以及分子束外延等就涉及两种方法。另外，新近发展起来的脉冲激光沉积（ Pulsed Laser Deposition , PLD ）制膜技术成为人们广泛关注的一种现代薄膜制备技术。表 2-1 列出了一些常用的薄膜制备方法。 真空蒸发镀膜简介 真空蒸发镀膜（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发容器中欲形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体（一般为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的方法。真空蒸镀法的主要物理过程是通过加热使蒸发材料变成气态，故该法又称为热蒸发法。 这是 1857 年首先由Farady 采用的最简单的制膜方法，现在已获得广泛应用。 真空蒸发镀膜简介 这是 1857 年首先由Farady 采用的最简单的制膜方法，现在已获得广泛应用。 近年来，该方法的改进主要集中在蒸发源上。为了抑制或避免薄膜原材料与蒸发加热皿发生化学反应，改用耐热陶瓷坩埚，如氮化硼（ BN ）坩埚；为了蒸发低蒸气压物质，采用电子束加热源或激光加热源；为了制备成分复杂的多层复合薄膜，发展了多源共蒸发或顺序蒸发法；为了制备化合物薄膜或抑制薄膜成分对原材料的偏离，出现了反应蒸发方法等。 2-1 真空蒸发原理 2.1.1 真空蒸发的特点 真空蒸发具有：设备比较简单，操作容易；薄膜纯度高、质量好，厚度可比较准确控制；成膜速率快、效率高，用掩膜可获得清晰图形；薄膜的生长机理比较简单等特点。 这种方法的主要缺点是不容易获得结晶结构较好的薄膜、所形成的薄膜在基片上的附着力较小，工艺重复性不够好等。 真空蒸发镀膜原理示意图 图 2-1 为真空蒸发镀膜原理示意图。由图可见，该装置主要由真空室、蒸发源、基片、基片加热器以及测量器构成。真空室为蒸发过程提供必要的真空环境；蒸发源放置蒸发材料并对其进行加热；基片用于接收蒸发物质并在其表面形成固态蒸发薄膜。 真空蒸发镀膜原理示意图 从图 2 -1 可以看出，真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程： ( 1 ）加热蒸发过程。由凝聚相转变为气相的相变过程。每种蒸发物质在不同温度时有不相同的饱和蒸气压；蒸发化合物时，其组分之间发生反应，其中有些组分以气态或蒸气进入蒸发空间。 真空蒸发镀膜原理示意图 从图 2 -1 可以看出，真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程： ( 2 ）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输运。这是粒子在环境气氛中的飞行过程。飞行过程中与真空室内残余气体分子发生碰撞的次数，取决于蒸发原子的平均自由程，以及从蒸发源到基片之间的距离，这个距离通常称为源一基距。 真空蒸发镀膜原理示意图 从图 2 -1 可以看出，真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程： ( 3 ）蒸发原子或分子在基本表面上的沉积过程。蒸气在基片上先聚集成核，然后核生长，再形成连续薄膜。由于基片温度远远低于蒸发源温度，因此，淀积物分子在基片表面将直接发生从气相到固相的相转变过程。 真空蒸发镀膜原理示意图 从图 2 -1 可以看出，真空蒸发镀膜包括以下三个基本过程： 上述三个过程都必须在真空度较高的环境中进行。如果真空度太低，蒸发物原子或分子将与大量气体分子碰撞，使薄膜受到污染，甚至形成氧化物；或者蒸发源被加热而氧化，甚至被烧毁；也可能由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续薄膜。 2.1.2 饱和蒸气压 各种固体或液体放人密闭的容器中，在任何温度下都会蒸发，蒸发出来的蒸气形成蒸气压。 在一定温度下，单位时间内蒸发出来的分子数同凝结在器壁和回到蒸发物质的分子数相等时的蒸气压，叫做该物质在此温度下的饱和蒸气压。 此时蒸发物质表面固相或液相和气相处于动态平衡，即到达固相或液相表面的分子，与从固相或液相离开返回到气相的分子数相等。 2.1.2 饱和蒸气压 一般情况下，物质的饱和蒸气压随温度的上升而增大。在一定温度下，各种物质的饱和蒸气压不相同，但都具有恒定的数值。 物质在饱和蒸气压为 10 -2 Torr （1.33Pa）时所对应的温度为该物质的蒸发温度。真空设备中所使用的一般材料（如真空泵油、密封脂等）的饱和蒸气压要低于所需的真空度两个数量级。 下表是几种物质的饱和蒸气压。 2.1.2 饱和蒸气压 克拉伯龙-克劳修斯方程 设蒸发材料表面液相、气相处于动态平衡，到达液相表面的分子全部粘接而不