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Synthesis of Cu2ZnSnS4 Thin Films Cu2ZnSnS4(CZTS)简介 1.连续离子层吸附反应(SILAR) 2. Magnetron Sputtering 3. Printed Electronics CZTS太阳能电池的优势 CZTS为直接带隙材料，其光吸收系数高于104cm-1，电池中所需材料厚度较小 禁带宽度约1．05～1．50eV，与太阳能电池所需要的最佳禁带宽度1．50eV相匹配 无毒、经济、环保 CZTS制备方法 连续离子层吸附反应(SILAR) 创新点 SILAR法 初次应用于CZTS光电 薄膜的制备 SILAR法 是制备复合光电薄膜的有效途径 SILAR 法沉积 利用特定溶液中的前驱体离子在活性基体材料表面的化学吸附，以及反应吸附层的离子间化学反应产物沉积于基材表面形成表面改性层的沉积工艺。 SILAR 法 （a）将基体浸入 阳离子前驱体溶液，发生吸附反应 ＞ SiO-+ Cu2+= ＞ SiO-Cu+ ＞ SiO-+ Zn2+= ＞ SiO-Zn+ ＞ SiO-+ Sn4+= ＞ SiO-Sn3+ (b)将基体浸入去离子水中 未被吸附的阳离子与SO42- 扩散到去离子水中被除去 (c)将基体浸入S2-前驱体溶液中，发生反应主要有 ＞ SiO-Zn+ + S2-= ＞SiO-ZnS- ＞ SiO-Sn3+ + 2S2-= ＞ SiO-SnS2- ＞ SiO-Cu+ + S2-= ＞ SiO-CuS- CuS+ZnS+SnS2=Cu2ZnSnS4 (d)基体再次浸入去离子水中 未被吸附的 S2-和其它离子扩散到水中被除去，这样基体表面就只剩下沉积的 Cu2ZnSnS4 一定的循环次数后进行烘干处理（60℃、30min） SILAR 法 SILAR 法 10、20、30、40次循环 得到的薄膜厚度分别为 120、256、345、468nm Principle 在阴极暗区电子近似只受电场作用,在负辉区近似只受磁场作用。电子在正交电磁场作用下的运动轨迹近似于一条摆线垂直方向分布的磁力线将电子约束在靶材表面附近，延长其在等离子体中的运动轨迹，提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率的作用。 Principle 电子在交互电场与磁场E×B 作用下将气体电离后撞击靶材表面，使靶材原子或分子等溅射出来并在管面经过吸附、凝结、表面扩散迁移、碰撞结合形成稳定晶核。然后再通过吸附使晶核长大成小岛，岛长大后互相联结聚结，最后形成连续状薄膜。 Experiment Sulfurization Results 1. SEM SEM显示硫化后晶粒长大,且晶体结构致密 Results 2. XRD XRD显示薄膜为CZTS,并且(112)主峰十分尖锐,表明薄膜结晶度良好 Results Advantages: 1.Produce Large Scale Films 2.High Quality 3.Make All Kinds of Films 4High Conversion Rate Disadvantages 1.High Device Demands 2.Demand For Accurate Parameters Synthesis of CZTS nanocrystal ink and its use for solar cells Photovoltaic devices based on several semiconductor nanocrystals The semiconductor nanocrystals can be used in the form of a nanocrystal ink That is coated on a substrate and sintered into bulk material to yield a low-cost solar cell fabrication process Raw material for CZTS ink 1.Copper Ore 2.Zinc Ore 3.Tin Ore 4.Sulfur Synthesis of CZTS nanocrystals 1.Three neck flask 2.Schlenk line 3.Heater Process routing of experiment zinc acetylacetonate copper(II) acetylacetonate tin(IV) bis acetylacetonate dibromide three neck flask oleylamine sulfur in oleylami