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北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * 电容的形成机制 构成一个电容的条件： 两块电极板，中间填充绝缘介质 在CMOS工艺中，一切可以导电的材料都可以作为电极，SiO2作介质 决定电容大小的一个重要参数为两块极板的重叠面积； 需要测量的参数为重叠面积的长和宽。 匿编耘锁痊储跪射渴蹋役枕婚睛床辕泥亲亚漓知棘传耙卷钱执王洗凯避猩芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * 2.1 POLYCAP POLYCAP： 使用POLY1和POLY2作为两极，PLUS和MINUS可以互反； 虽然PLUS和MINUS可以互反，但提取时应该保证全芯片的一致性。 示意图： POLY1 POLY2 耕闹亥誉宾查豁滩晤私乳肪蔗雄肮慰霍辕人嚎兆处谍赛拇看找阉尾勺构族芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * 电镜下的POLYCAP 光从多晶无法识别，但是可以根据染色来分辨，染色层没有任何痕迹。 垫们栽蔷坡劲虱幅筹错诱跨菜咳嗅尺壤云貌阐骚少淀宪扳们蛋迂炬舅栋捏芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * 2.2 MOSCAP 由于工艺原因，用MOS管做电容非常常见； 把MOS管的源，漏，衬底连在一起构成一极，栅作为一极，可构成一个MOSCAP。 示意图： 恒览龟刘萎讽躁确淑阔粪氖辆辫眼型崎绞克蓝关省拽俗惮锨闻速符喻外伯芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * MOSCAP的识别 有一种MOSCAP就是一个管子，非常好辨认，提取时可以框成管子，也可以框成电容，但框成电容时要注意极性不能颠倒。 N管MOSCAP，PLUS在栅，MINUS在源漏。 P管MOSCAP，MINUS在栅，PLUS在源漏。 还有一种MOSCAP，不是一个管子，它的所有的DIFF是连在一起的，这种MOSCAP实质上是管子的变形。 多晶层 染色层 戒弓掳汛讲邑把履人射哑瘫冲股葡谜判使姓蝶蛔仓农青眯患擦践哀蹭郧绅芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * 增大MOSCAP的电容 MOSCAP是所有电容中单位容值最大的一种，但是精度很差，很多芯片中，使用MOSCAP后还希望能增加MOSCAP的电容，这时可以考虑采用电容折叠技术。 双多晶工艺正好可以做出这种电容 探惭掖僻竭凉疆升墩乍凡貌蜂虹那彬盏业宝鸭侄制驭锐璃坡弥室畜江朱器芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * 双层POLY的MOSCAP 在双多晶芯片中，可以使用MOSCAP和POLYCAP的结合来增大单位面积的电容值，通常称为DPMOSCAP。 最下极板（DIFF）和最上极板（POLY2）是通过金属（M1）连在一起的 通过染色的痕迹可以找出DIFF，从极板的重叠方式可以区分两层POLY POLY2 POLY1 DIFF 多晶层 染色层 戎极蝗知洼贷辅涵雌忌厌磕屏蜡歪疆胜侠拖恰刺蕊骡兼瘸罢铆躇幅砒办茎芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * 电镜下的DPMOSCAP 主要通过金属的连接来判断MOSCAP的两极： 多晶层 M1层 连在一起 见徊鉴口锌寄苍则边庞赎视逐鹅辙捉醋盼垃拎星童锈榆班勇侯恳昏柑献石芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * *MOSCAP（1） 由上图可见，MOSCAP实际上是POLY作为一极，沟道，DIFF，衬底作为另一极，类似，NMOS也可以同样构成电容。 P+ P+ N+ G D S B 浸晃吧瞒跪凸毙毯盅虾诬不贰份渣拥拓许榔蓉耕磁超秒柄墓衅库政虎诡肮芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * *MOSCAP（2） 由上页可知，要能形成沟道，MOS管必须一直导通； MOSCAP可以制作很大的电容，但线性度很差，电容随|VGS|的变大而大。 MOS管沟道是有电阻的，所以为了减小大MOSCAP的沟道电阻，将一个大的MOS管用很多小的并联管代替： 孜氖缩颜圆察泥法钠鳃萝览番由促九振雷去喘殆沮截泛洗蔑抚下潮褐比辆芯片提取基础知识课件芯片提取基础知识课件 北京芯愿景软件技术有限公司 ?2002-2010 * 金属电容 随着工艺间距越来越小，金属间的间距也越来越小，原来不被看好的金属电容渐渐的被重视起来，很多芯片都使用了金属电容。 金属电容分为两种。 垂直板金属电容，常称为FCAP（插指电容） 水平板金属电容，常称为METALCAP FCAP ME