硅二极管.PPT

1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体的导电特征 1.1.2 N型半导体和P型半导体 1.1.1 半导体的导电特征 半导体 —导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 本征半导体 —纯净的半导体。如硅、锗单晶体。 载流子 —自由运动的带电粒子。(电子和空穴) 共价键 —相邻原子共有价电子所形成的束缚。 本征激发：在室温或光照下价电子获得足够能量摆脱共价 键的束缚 成为自由电子，并在共价键中留下 一个空位(空穴)的过程。 复 合：自由电子和空穴在运动中相遇重新结合成对消 失的过程。 漂 移：自由电子和空穴在电场作用下的定向运动。 两种载流子:电子(自由电子)和空穴 两种载流子的运动：自由电子(在共价键以外)的运动 空穴(在共价键以内)的运动 半导体的导电特征：电子和空穴两种载流子参与导电 在外电场的作用下，自由电子逆着电场方向定向运动形成 电子电流IN 。空穴顺着电场方向移动，形成空穴电IP 。 结论: 1. 本征半导体中电子空穴成对出现, 且数量少； 2. 本征半导体导电能力弱，并与温度、光照等外界条 件有关。 3. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 1.1.2 N型半导体和P型半导体 本征半导体中由于载流子数量极少，导电能力很弱。 如果有控制、有选择地掺入微量的有用杂质（某种元素） ，将使其导电能力大大增强，成为具有特定导电性能的杂 质半导体。 一、N 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入五价元 素磷。 N 型半导中， 电子为多数载流子，空穴为少数载流子，载流子数约等于 电子数。 二、P 型半导体 在硅或锗的晶体中掺入三价元 素硼。 P 型半导中， 空穴为多数载流子，电子为少数载流子，载流子数约等于 空穴数。 1.2 PN结 1.2.1 PN结的形成 1.2.2 PN结的单向导电性 1.2.1 PN结的形成 扩散运动：由浓度差引起的载流子运动。 漂移运动：载流子在电场力作用下引起的运动。 一、载流子的浓度差引起多子的扩散 两边扩散的电子和空穴复合而消失，在交界处留下 带正、负电荷的离子。 二、 复合使交界面形成空间电荷区(耗尽层) 空间电荷区特点: 无载流子、阻止扩散进行、利于少子的漂移。 三、 扩散和漂移达到动态平衡 扩散和漂移平衡时，交界面处就形成了一个稳定的空 间电荷区，称为PN结。 注意：多数载流子是扩散，少数载流子是漂移。 1.3 半导体二极管 1.3.1 二极管的结构 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的主要参数 1.3.4 二极管的电路分析 1.3.1 二极管的结构 构成： PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 (Diode) 符号： 分类： 按材料分 按结构分 点接触型结电容小，允许通过的电流小，适合高频和 小功率整流电路。 面接触型结电容大，允许通过的电流大，适合低频的 整流电路。 平面型则有两种：结面积较小的作为开关管，结面积 较大的作用于大功率整流电路。 1.3.2 二极管的伏安特性 反向击穿类型： 电击穿— PN结未损坏，断电即恢复。 热击穿— PN结烧毁。 反向击穿原因： 齐纳击穿：反向电场太强，将电子强行拉出共价键。 雪崩击穿：反向电场使电子加速，动能增大，撞击 使自由电子数突增。 工作时应避免二极管的热击穿。 从伏安图中看：二极管具有单向导电性。 1.3.3 二极管的主要参数 1. IOM — 最大整流电流（最大正向平均电流） 2. URM — 最高反向工作电压 U(BR) / 2 3. IRM — 最大反向电流（二极管加最大反向电压时的电流 ，越小单向导电性越好） 4、最高工作频率FM 最高工作频率FM是指二极管正常工作时的上、下限频 率，与结电容有关。 1.3.4 常用二极管的电路分析 一、理想二极管 正偏导通，uD= 0 ; 反偏截止， iD= 0 二、实际二极管 举例分析一： 硅二极管，R = 2 k?，求出 VDD = 2 V 时 IO 和 UO 的值。（忽略二极管正的向工作电压） 举例分析二： ui = 2 sin ?t (V), 分析二极管的限幅作用（二极管的死区电 压为0.5V，正