华广电气工程学院电子技术课程复习与考试提纲.docxVIP

综合成绩=平时成绩（30%）+实验成绩（10%）+期末考试（60%）考试题型（暂定）：1．单项选择题：20%，共10题；2．填空题：15%，共15空；3．绘图题：约15%，共2题；4．设计题：约8%，共1题；5．分析计算题：约42%，共4题第1章半导体器件1.理解半导体的导电特性，影响半导体导电性的因素；半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的物质热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强（可做成温度敏感元件，如热敏电阻）。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化（可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等）。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变（可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。掌握杂质半导体的类型，多子、少子的概念；一般可分为N型半导体和P型半导体。多子：多数载流子。少子：少数载流子。载流子包括自由电子和空穴。在N型半导体中，空穴是少数载流子，电子是多数载流子；……五价在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。……三价理解PN结的单向导电特性。如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。如果电源的正极接N区，负极接P区，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于反向偏置。PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止。2. 掌握半导体二极管的结构、符号及电路分析，理解其伏安特性。伏安特性：⑴死区：外加正向电压较小时，正向电流几乎为零。对应的电压死区电压。(死区电压：硅管0.5V、锗管0.2V)⑵正向导通区：正向电压大于死区电压后，正向电流随着正向电压增大迅速上升，二极管导通。其后端电压变化很小，基本为常量。⑶反向截止区：二极管承受反向电压在一定范围，反向电流很小，不随电压变化。这时的电流──反向饱和电流。⑷反向击穿区：当外加方向电压增大到一定值，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性——反向击穿。对应的电压称为反向击穿电压。反向击穿时，若不抑制反向电流，则二极管的PN结会因过热而烧毁。3. 掌握稳压管稳压作用、符号及电路分析。稳压二极管(齐纳二极管)的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。如图画出了稳压管的伏安特性及其符号。稳压管反向击穿后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小。利用这一特性，稳压管在电路中能起稳压作用。4. 掌握晶体管的结构、符号、类型及其判别：硅管、锗管：法一：最基本的区别是PN结正向压降UBE不同。硅管为0.7V左右；锗管为0.3V左右。法二：可用万用表R×l00Ω或R×1KΩ档测量晶体管PN结的正向电阻，对于NPN型管，黑表笔接基极，红表笔接任意一极。对于PNP型管，测量方法与NPN管相反。如果万用表指针的位置在表盘中间，此晶体管为硅管；如果万用表指针位置在电阻零端时，此晶体管为锗管。掌握晶体管的输入特性曲线、输出特性曲线输出特性曲线3个工作区的特点饱和区——靠近纵坐标特性曲线的上升和弯曲部分。uCE＜uBE。发射结正偏，集电结正偏。此时uCE为饱和压降uCES。截止区——iC接近零的区域，相当IB=0的曲线及以下区域。 IB=0 时，IC= IE = ICEO。此时，发射结反偏，集电结反偏。放大区——曲线基本平行等距。该区中有：。也称为线性区。此时，发射结正偏，集电结反偏。5. 掌握场效应管与晶体管的区别。比较项目晶体管场效应管载流子两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故又称为双极型晶体管。只有一种极性的载流子（电子或空穴）参与导电，故又称为单极型晶体管。控制方式电流控制电压控制类型NPN型和PNP型两种N沟道和P沟道两种放大参数β=20~200gm=1~5 mA/V输入电阻rbe=102~104 Ω较小rgs=107~1014 Ω很大输出电阻rce很大rds很大热稳定性差好制造工艺较复杂简单，成本低，便于集成对应电极基极—栅极，发射极—源极，集电极—漏极习题1.2（b）、（c），1.3，1.8第2章单级交流放大电路1. 掌握静态工作点的计算。静态分析的目的是确定放大电路的静态值IB、IC、UBE和UCE，这些数值称为静态工作点。估算法：由右图可得基极电流的静态值为：则集电极电流为IC =βIB静态时集电极与发射极间的电压为UCE=UCC-ICRC图解法：①用估算法求出 IB（如40μA）②找到IB对应的曲线③由UCE=UCC-ICRC作直流负载曲线④IB曲线与直流负载线的交点Q即为静态工作点，其坐标为（UCE，IC）2. 掌握放大电路的动态分析：动态分析法有图解法和微变等效电路法。图解法：根据静态分析方法求静态工作点Q(IB、IC