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低压CMOS带隙基准电压源设计.pdf
低压CMOS带隙基准电压源设计
宁江华1,王基石1,杨发顺1一,丁召1’2
550025)
(1.贵州大学理学院,贵州贵阳550025}2.贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵州贵阳
直接控制着这些电路的精度。阐述一个基于带隙基准结构的Sub一1V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准
电压源。并基于CSMC DoubleMix
0.5且m Poly Process对电路进行了仿真,得到理想的设计结果。
关键词:CMOS基准电压源;低功耗;Sub一1V;高电源抑制比
中图分类号:TMl3 文献标识码:A 文章编号:1004—373X(2010)07一0115一03
ofLow CMOS Reference
Design Voltage BandgapVoltage
NING Zha01’2
Jiang-hual,WANGJi-shil,YANGFa-shunl”,DING
of
(1.CollegeScience,GuizhouUniversity,Guiyang550025·China}
2.GuizhouProvincialKeyLab.forMicro-Nano-Electfonicsand 550025,China)
Software,Guiyang
in
referenceisabasiccellof circuits.It an role ICs
Abstract:Voltage analogintegrated performsimportantmanyanalog
whose iscontrolledthe ofthese as andSOon.ACMOS reference
precision by precision cells,suchADC,DAC,SOC voltage
circuitwithSub-1V coefficientand PSRRisintroduced.Thesimula-
outputvoltage,lowpowerconsumption,lowtemperature high
tionforthecircuitwas basedontheCSMC doublemix ideal resultswere
performed 0.5“m poly process.Thedesign gained.
reference;low PSRR
Keywords:CMOSvoltage powerconsumption}Sub-1V;high
设计了低压CMOS带隙基准源电路,使其电路能工作在
0 引 言
较低的电压下。本文介绍这种带隙电压基准源的设计原
基准电压源广泛应用于电源调节器、A/D和D/A理,给出了电路的仿真结果,并对结果进行了分析。并基
DoubleMix
转换器、数据采集系统,以及各种测量设备中。近年来,
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