浅析一种快恢复二极管新结构——少数载流子寿命横向非均匀分布结构.docVIP

　　浅析一种快恢复二极管新结构——少数载流子寿命横向非均匀分布结构 --Abstract: A neinority-carrier life time lateral non-uniform distribution (MLD) structure,is proposed.Based on the p+nn+diode purity selectively.The characteristics of this neeasured and the results shoaster_degree.html little proved signifi-cantly.This nee special regions,e is strictly required. Key inority-carrier life time;VF-trrtrade-off; reverse current;trr-Tstability 摘要:提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier life time lateral non-u-niform distribution,MLD)结构.利用普通的p+nn+二极管芯片,通过掩蔽扩散选择性地掺入深能级杂质,制备出了掺Au、Pt的MLD快恢复二极管.测试结果表明,虽然这种快恢复二极管正向压降-反恢时间兼容特性略差,且反向漏电流较大,但是具有十分良好的反恢时间-温度的稳定特性,可以用于对反恢时间变化要求严格的领域. 关键词:少数载流子寿命;VF-trr兼容特性;反向漏电流;trr-T稳定特性 1 引言 快恢复二极管是一类很重要的开关器件,目前已在各种电子设备特别是开关电源中广泛应用.随着器件工作频率的不断提高,对快恢复二极管的各项指标的要求也不断提高.由于快恢复二极管本身存在着速度与功耗之间的矛盾,因而在所有指标之间必须折中考虑进行优化,其中对正向压降-反恢时间(VF-trr)兼容特性、反向漏电流-温度(IR-T)特性的研究最为广泛[1~6],而对反恢时间-温度(trr-T)稳定特性的关注较少.近年来,由于开关电源的工作频率的不断提高,快恢复二极管工作时温度上升导致trr值升高的问题也逐渐引起了人们的重视.国外的一些产品手册中,除了给出室温下的trr值外,已经对100℃下的trr值作出了限制[11].很明显,良好的trr-T稳定特性将有助于提高相关整机的可靠性. 实际生产中,常利用掺Au、Pt及辐照引入深能级复合中心来控制少数载流子寿命[5~10].在关于不同的深能级杂质对器件特性的影响问题上,Baliga发展了最佳寿命控制杂质的选择理论[3~6],此外,人们也探索和研究了各种器件结构来改善快恢复二极管的性能,如Baliga等人提出的MPS结构[12],Shimizu等人提出的SSD结构[13]及Temple等人提出的优化的纵向少数载流子寿命分布结构[14]. Temple等人提出的优化纵向少数载流子寿命分布结构[14],通过在器件基区内部引入一层或多层薄的高复合区来改善高速器件的VF-trr兼容特性.受这方面工作的启发,我们提出了一种新的结构,即少数载流子寿命横向非均匀分布(minority-carrier lifetime lateral non-uniform distribution,MLD)结构.我们设想,如果在二极管的n型基区中引入横向上非均匀分布的深能级杂质,应该对快恢复二极管的各项特性产生影响.与纵向少数载流子寿命优化[14]不同,我们通过对深能级杂质的选择性掩蔽扩散,在p+nn+型二极管的n型基区内部引入横向非均匀分布的深能级复合中心,从而制备出了具有少数载流子寿命横向非均匀分布结构的快恢复二极管. 本文报道了对这种新的快恢复二极管的实验研究结果.实验发现,普通均匀掺Au、Pt的快恢复二极管的反向恢复时间trr值随温度的升高而大幅度上升,但是具有MLD结构的快恢复二极管的trr值仅有少量的增加,从而显示出良好的温度稳定性.由于功率二极管工作时经常处于较高的结温之下,因此本工作的结果可用于研制具有高温度稳定性的快恢复二极管中. 2 实验 2.1 样品制备 实验的原始材料选取电阻率为30~50Ω#8226;cm的n型直拉(CZ)硅单晶磨片,直径为76mm,厚度为250±5μm.采用高纯磷(P40)、硼(B15)纸片源,在1250℃下一次扩散形成p+nn+二极管芯片结构,其中n型基区宽度约为80μm左右. 然后对制得的二极管芯片硼面进行喷砂处理,清洗后一部分芯片直接在860~900℃下扩散Au或Pt,制成不同trr值的普通均匀掺杂的快恢复二极管芯片.另一部分则先在1200℃下用干氧-湿氧-干氧的方法氧化生成约1μm厚的氧化层;再利用光刻技术在二极管芯